SK海力士已完成目前最高密度QLC NAND闪存的开发。该产品经客户认证后，将于明年上半年上市。
SK海力士于8月25日宣布，已完成321层、2TB容量的QLC NAND闪存的开发，并将开始量产。NAND闪存根据每个单元存储的比特数，分为SLC（1单元）、MLC（2单元）、TLS（3单元）、QLC（4单元）和PLC（5单元）。随着存储容量的增加，相同面积内可以存储更多数据。
SK海力士表示：“我们再次突破技术瓶颈，成功推出全球首款300层或更高密度的QLC NAND闪存。” 他们补充道：“凭借这款在现有NAND产品中拥有最高密度的产品，我们将积极争取全球客户认证，并从明年上半年开始积极进军AI数据中心市场。”
为了最大限度地提升成本竞争力，SK海力士开发了容量高达2Tb的产品，比之前的产品容量翻了一番。
通常，随着NAND容量的增加，每个单元存储的信息量也会增加，这使得内存管理更加复杂，数据处理速度也会降低。为了解决容量增加带来的性能下降问题，SK海力士将平面（独立运行的NAND闪存单元）的数量从4个增加到6个，从而实现了更多的并行操作。
与之前的QLC产品相比，该产品不仅容量更大，性能也得到了提升。数据传输速度提升了100%，写入性能提升高达56%，读取性能提升了18%。数据写入功率效率也提升了23%以上，从而确保了在AI数据中心等需要低功耗的领域的竞争力。
SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC SSD，然后将其应用扩展到数据中心的eSSD和智能手机的UFS产品。该公司基于自主研发的32片NAND闪存单片堆叠封装技术，瞄准AI服务器超大容量eSSD市场，实现了现有产品的两倍密度。
SK海力士执行副总裁兼NAND开发负责人郑宇杓表示：“随着该产品的量产，我们显著增强了高容量产品组合，并巩固了价格竞争力。我们将作为全栈式AI内存供应商，实现更大的飞跃，紧跟AI需求的爆炸式增长以及数据中心市场的高性能需求。”
