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近日，半导体行业传来振奋人心的消息：连科半导体与材料供应商中宜创芯强强联合，在碳化硅晶体生长领域实现里程碑式突破。
连科半导体采用中宜创芯提供的7N高纯碳化硅粉体，借助自身完全自主研发的12吋碳化硅长晶炉及热场，成功生长出高品质的12吋（304mm）碳化硅晶锭。
■ 12吋（304mm）碳化硅晶锭
碳化硅是重要的宽禁带半导体材料，在高频、高压、高温等领域应用前景广阔。随着半导体技术发展，大尺寸碳化硅晶锭需求持续攀升，12吋碳化硅晶锭的成功生长，可提升芯片生产效率、降低成本，推动相关产业向高性能、小型化方向发展。
连科半导体长期专注半导体设备研发制造，在碳化硅晶体生长设备领域经验丰富、技术扎实。此次成功生长12吋碳化硅晶锭，使其成为首家掌握12吋碳化硅晶体生长设备与工艺全套核心技术的半导体设备公司，彰显了其强大的技术创新能力，也为我国半导体产业发展增添新动力。
据悉，连科半导体的12吋碳化硅长晶炉及热场历经多年研发试验、持续优化改进，独特设计和先进控制技术确保了晶体生长的稳定性与一致性，从而产出高品质晶锭。中宜创芯提供的高纯粉体则为晶锭生长提供了优质原料保障。
连科半导体相关负责人称，此次突破是公司发展又一重大里程碑。未来，公司将持续加大研发投入，提升技术水平与产品质量，为我国半导体产业提供更先进可靠的设备和解决方案。在全球半导体产业竞争加剧的背景下，连科半导体掌握核心技术，有助于我国半导体产业实现自主可控，提升国际竞争力。
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