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据台媒报道，台积电2nm芯片技术泄密事件涉案3名工程师被检方起诉，分别被要求判处14年、9年和7年徒刑！
消息称，涉案的主要嫌疑人陈姓男子曾任台积电工程师，熟悉公司严格的保密制度与供应商保密协议。离职后，他加入日本半导体设备龙头 TEL 公司，并利用旧同事关系，多次索取 2 纳米蚀刻站相关机密文件和数据，将其拍摄、复制，用于帮助 TEL 公司改进设备性能。
台湾地区“高等检察署”侦办台积电2纳米核心关键技术窃密案，查出台积电前工程师陈力铭跳槽到日企东京电子公司后，为获取“蚀刻机台”量产测试数据，通过时任台积电工程师吴秉骏、戈一平窃取机台参数配方。
据悉，由于陈力铭、吴秉骏、戈一平涉“核心关键技术营业秘密之域外使用罪”，检方分别求处7至14年重刑，3人在押，且均认罪，下周将移审至台湾地区“智慧财产与商业法院”。
检调认定，陈力铭翻拍、复制台积电核心技术测试数据、流程图文件共14张。检方认定，陈力铭应执行有期徒刑14年，吴秉骏应执行有期徒刑9年，戈一平应处有期徒刑7年。
根据台媒报道，2025年7月底，台湾高等检察署接到台积电的举报，称公司内部监测系统发现异常文件访问记录。检方迅速行动，7月25日至28日展开了大范围搜查，逮捕了6名涉案人员，其中3名被认为是主犯，直接被拘留。
这3人中，有2名是台积电现役工程师，1名是前员工。而这些人的“下家”指向了日本企业——东京威力科创（TEL）和Rapidus。这两家公司，一个是全球顶尖的半导体设备制造商，一个是日本政府力推的“半导体复兴希望”。
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