三星电子为了扭转高带宽内存(HBM)的局面，正在进行大规模的攻势。三星电子能否重新夺回内存霸权备受关注。
9月3日，据业界透露，三星电子正在大量生产第6代HBM(HBM4)样品。据悉，以芯片为基准，约1万张左右从样品产量来看，这是一个不寻常的数字。
1b DRAM已经商用，而1CDRAM还没有进入轨道。因此，以1cDRAM为基础制作HBM4的三星电子与竞争对手相比，条件很不利。尽管如此，三星电子还是以极外线(EUV)工艺优势、压倒性的生产能力(CAPA)等优势，率先采用下一代DRAM。
结果，为了补偿成熟度下降，即使稍微过分地抽取了HBM4样本，也相当于在与SK海力士和美光相比，初期良率只能下降的情况下，制定了这个方案。
三星电子计划尽可能地准备两款HBM4，在与竞争对手相似的时期进入英伟达的供应链。SK海力士今年3月，美光今年6月向英伟达递交了HBM4样品。
三星电子在确保样品的同时，也预告了突破性的价格政策。
业界预计HBM4的单价将比HBM3E高60%-70%。领先企业SK海力士表示，他们希望以最低30%-40%的价格优势来实现这一目标。
问题是，英伟达希望价格更低。虽然英伟达的下一代人工智能(AI)半导体Rubin”的开发延迟也有一部分原因，但实际原因在于与SK海力士的HBM4协商推迟，但人们对价格有分歧。英伟达考虑了美光和三星电子的替代方案，试图夺取谈判桌的主导权。
三星电子更注重的是采取行动，而不是追求盈利能力。据推测，他们正在考虑以不到20%的溢价几乎不留下利润水平。
