据报道，SK海力士和美光公司本月将进入其为NVIDIA提供的第六代高带宽存储器（HBM4）测试的最后阶段。在质量测试方面处于领先地位的SK海力士预计将最早于本月与NVIDIA敲定明年HBM4的供货合同。据报道，三星电子在测试方面落后竞争对手约两个月，正在全力以赴加快这一进程。
SK海力士和美光公司计划于本月进行的HBM4质量测试为CS（客户样品）阶段，这将是最终验证步骤，以确保HBM4已针对HBM4规范进行优化，该规范将于明年纳入NVIDIA即将推出的AI半导体Rubin平台。这标志着质量测试的最后阶段，此前已完成ES（工程样品）阶段，用于验证HBM4的设计和功能是否正确。
SK海力士和美光将于本月进行最终测试
据业内人士9月5日报道，SK海力士和美光计划本月向NVIDIA提交其12层HBM4存储器的最终样品。据悉，SK海力士正在敲定价格和供货时间表，以完成HBM4的供应谈判。据报道，三星电子的测试进度比SK海力士和美光落后了两个月，但三星电子正在努力加快技术进步，以加快测试进度。
目前，SK海力士是NVIDIA HBM4存储器的主要供应商。通常，从提交最终样品到最终产品认证需要六个月以上的时间。然而，考虑到存储器半导体公司的设备投资和量产计划，为了确保及时供应产品，SK海力士在最终认证之前就已敲定了供货合同。 SK海力士已为NVIDIA独家供应首批12层HBM3E（第五代HBM）内存。外界普遍预计，SK海力士将供应首批HBM4内存的很大一部分。
兴国证券研究员孙仁俊（Son In-jun）解释道：“考虑到HBM4的供应时间表，SK海力士与NVIDIA的HBM供应合同很有可能在9月敲定，并将于明年上半年交付。考虑到CS测试时间表，预计SK海力士将获得相当可观的初期市场份额。”
三星电子稳定HBM发热问题及良率
三星电子在HBM供应方面屡屡败于NVIDIA，其HBM4测试时间表也落后于SK海力士和美光。由于未能按时完成最终测试，且在供应谈判中处于最后阶段，这不仅会限制其供应量，还会削弱其相对于竞争对手的定价能力。据报道，出于这些原因，三星电子正竭尽全力加快测试进度。
据报道，三星电子有信心在HBM4性能方面超越竞争对手。三星电子将4纳米（纳米；1纳米是十亿分之一米）代工工艺应用于HBM4的“逻辑芯片”，从而提升了性能和功耗效率。据悉，SK海力士的逻辑芯片采用台积电的12纳米工艺，而美光则采用12纳米级DRAM工艺。三星电子还将最先进一代的DRAM应用于HBM4堆栈。此外，此前被认定为HBM量产难题的发热和良率也已得到显著稳定。
一位半导体业内人士解释说：“三星电子不仅将 4nm 工艺应用于 HBM 核心的逻辑芯片，还在 HBM 上堆叠了 10nm 级第六代（1c，11-12nm 级）DRAM。” 他们补充道：“这是一种策略，旨在与 SK 海力士相比，在逻辑芯片上采用 12nm 工艺和 10nm 级第五代（1b，11-12nm 级）DRAM，从而获得性能优势。”
