1、项目基本情况
项目名称 ：智能算力领域电源管理芯片研发及产业化项目
实施主体 ：上海南芯半导体科技股份有限公司
项目总投资： 45,923.95 万元
项目建设期： 3 年
项目建设内容：本项目将基于公司现有电源管理产品技术，解决大电流场景下多相架构电流均衡、精确移相等技术问题，开发多相控制器、DrMOS、大电流DC-DC、大电流 PMIC、高压电源等针对大电流应用需求场景的电源管理产品，为 CPU/GPU 等各类大负载芯片/终端提供电源管理方案。项目计划在上海浦东租赁场地并购置研发、检测及办公所需相关设备，引入项目研发所需人员，在三年左右的研发周期内完成新产品的设计、验证， 最终实现量产。
项目产品将运用于 PC、数据中心、带边缘计算的智能终端、能源等大电流环境下的多个领域。公司将按照“云、网、边、端”构筑多维度的产品体系，覆盖各类算力应用领域的需求；此外，公司还将开发应用于工业电脑、安防、光伏、储能等多领域的大电流电源管理产品。项目的实施有助于公司抓住市场发展窗口期，拓宽业务范围，提升公司盈利能力。同时，项目的实施也是公司顺应国家政策及行业发展趋势的决策，有助于重塑行业当前竞争格局，推动技术突破。
项目建设地点：上海市浦东新区
2、项目实施的必要性
（1）打破国外厂商的垄断，提升公司行业地位
随着 AI 大模型参数规模从百亿级迈向万亿级、多模态应用（文本+图像+音频+视频）普及，以及边缘 AI 场景（自动驾驶、工业质检等）的渗透，传统算力供给模式已难以满足“高吞吐、低延迟、低能耗”的需求，算力跃升成为 AI 技术落地与产业升级的核心支撑。
AI 算力的跃升对包括 CPU、GPU 在内的大芯片提出了更高性能（更高主频/更大算力）的要求，其主板对供电系统的要求也随之升级。因此，传统的供电方案无法满足其需求，行业逐步衍生出多相电源方案及其他大电流场景的供电方案。
多相电源方案是较主流的 CPU/GPU 等各类大负载芯片/终端的供电方案，其优势在于通过多相轮流工作可将每一路应力降低，输出纹波更小、器件更紧凑、效率更高、发热更低。此外，多相电源还可以根据 CPU/GPU负载实时调整供电相数，既可以满足高负载时的供电需求，也可以在低负载状态下起到节能的作用。
目前大电流场景的供电方案核心供应商以 MPS、英飞凌、瑞萨、AOS 等国际厂商为代表，凭借技术积累、产品成熟度及长期客户合作优势，在市场份额与技术话语权上保持领先。国内部分厂商也已在该领域开始布局，但产品研发到产业化落地仍需要一定时间。从行业趋势来看，随着国内企业在芯片设计、可靠性验证、供应链整合等环节的持续发力，叠加下游终端厂商对供应链安全的重视度提升，后续大电流场景的供电方案的国产替代进程有望加速推进。
同时，在 PC、服务器等领域，我国均是全球最主要的消费市场及生产基地，因此，国内电源管理芯片厂商更贴近终端客户，在产品的协同开发、售后响应速度等方面具备优势，市场格局存在进一步优化的空间。
公司需把握下游市场发展的战略机遇期，推进面向大电流场景的供电方案的研发进程，确保技术与市场需求同频。同时，可依托政策红利，抓准下游市场放量时机，通过快速渗透核心客户，驱动收入规模与市场占有率的跃升，以推动公司发展更上一个台阶。
（2）增加技术储备，提升公司核心竞争力
本项目将聚焦于大电流场景下的电源管理技术的开发，开发多相架构的电源管理等产品。多相电源由多相控制器和 DrMOS 组成，是专为 CPU/GPU 等大负载芯片供电的大电流 DC-DC，属于模拟芯片中门槛较高的核心赛道。
多相控制器的技术难点在于控制各相支路电流均衡以及驱动信号精确移相。相对于单相变换器，多相交错并联变换器控制策略更加复杂。一方面受制造工艺的影响，多相电源内每一相的元器件实际参数很难做到完全一致，参数差异将会导致各相支路电流不均衡，降低系统稳定性和使用寿命，为解决并联均流问题需要在电源拓扑设计上进行改良，往往需要增加额外电路进而导致电路复杂度提升。另一方面，单相变换器只需要一路驱动信号，而多相交错并联变换器需要多路驱动信号，并且多路驱动信号之间需要有一定的相位差，这对于控制器的信号控制策略提出较高要求。
DrMOS 的主要难点在于制造工艺，需要长时间的积累和迭代。根据封装及制造工艺，DrMOS 可分为单晶（单 Die）及合封两类方案，前者将驱动 IC、MOSFET等器件集成在同一颗 Die 上，后者是将多颗 Die 封装在一颗芯片中。
其中，合封方案可针对驱动 IC 及 MOSFET 采用不同工艺制造，以达到性能（如大电流）与成本优化的目的，缺陷在于堆叠封装的方式可能导致器件散热面积有限，其难点在于封装技术以及供应链整合。单晶方案优势在于：更高集成度、强驱动能力、快速开关能力等，但其难点在于高压 BCD 工艺、设计、封装等环节构成的综合性壁垒。
本项目将在公司已经积累的电源管理技术的基础上，针对上述开发难点，探索可扩展的先进拓扑结构设计与工艺技术。项目旨在沉淀适用于 PC、AI 服务器、边缘计算智能终端等大电流场景下的电源管理方案设计能力，为公司构筑长期竞争壁垒，提升公司核心竞争力。
（3）丰富公司产品矩阵，打造新的业务增长极
公司长期深耕电源管理赛道，已构建起覆盖消费电子、汽车、储能、光伏、通信等多领域的成熟产品矩阵，凭借高性能、高可靠性、高性价比和快速交付能力，稳居国内模拟芯片第一梯队，为公司构筑了持续而稳健的业务根基。然而，与国际龙头企业相比，公司在产品品类丰富度、市场渗透深度和广度仍存在显著差距。
为实现更远大的发展突破，公司近年来努力夯实现有产品的产业护城河，巩固基本盘优势；同时，积极主动拓宽产品能力边界，加速向具备高价值、高增长潜力的泛人工智能领域（PC、AI 服务器、AI 端侧产品等）延伸，打造新增长曲线。
本项目实施后，公司将新增大电流场景下的电源管理产品。在算力领域，公司将构筑运用于“云、网、边、端”多维度的丰富产品线，搭建覆盖数据中心、网络设备、边缘计算终端等应用场景的产品体系；此外，公司将开发应用于工业电脑、安防、光伏、储能等多领域的大电流场景的电源管理产品。随着 AI 算力需求的跃升，公司将以技术迭代为核心动力，持续挖掘下游增量市场空间，不断丰富现有产品矩阵，构建新的成长曲线，提升公司在未来市场中的竞争优势。
3、项目实施的可行性
（1）项目契合国家政策导向，具备政策可行性
人工智能行业的发展是国家科技自主与产业升级重要抓手，是国家的战略核心产业之一。2017 年 7 月，国务院印发《新一代人工智能发展规划》，将人工智能上升到国家战略层面，明确到 2025 年人工智能基础理论实现重大突破，部分技术与应用达到世界先进水平，带动相关产业规模 5 万亿元，到 2030 年中国人工智能理论、技术与应用总体达到世界先进水平，核心产业规模超过 1 万亿元，带动相关产业规模 10 万亿元。
2021 年 3 月，中共中央发布《国民经济和社会发展第十四个五年规划和二零三五年远景目标》，推动大数据、人工智能等产业融合发展，培育新技术、新产品、新业态、新模式。2023 年 4 月，网信部印发《针对生成式人工智能服务出台管理办法》，支持人工智能基础技术的自主创新和推广应用。
2024 年 6 月，工信部、网信办、发改委和标准化委员会四部门联合发布了《国家人工智能产业综合标准化体系建设指南（2024 版）》，提出到 2026 年，标准与产业科技创新的联动水平持续提升，新制定国家标准和行业标准 50 项以上，引领人工智能产业高质量发展的标准体系加快形成。
本项目围绕 AI 领域设计多个研发课题，将形成多相控制器、DrMOS 等应用于大电流环境的多品类电源管理产品，填补国内在 AI 芯片领域的技术空缺，与国家顶层设计高度同频，属于国家和地方政府高度支持的产业，因此，项目的建设具备政策可行性。
（2）大电流环境电源管理产品市场将持续放量，项目具备市场可行性
PC 和服务器是对大电流环境下的电源产品（如多相电源）的主要出货渠道。根据 IDC 数据，预估 2025 年全球传统 PC（包括台式机、笔记本和工作站，不含平板和 x86 服务器）出货量达到 2.74 亿台，按照单位多相电源价值量约 4~5 美元（若考虑独显则单机价值量或提升至 6~7 美元），对应市场空间约 10.96~13.70亿美元；另一方面，根据中商产业研究院数据，2025 年预计全球服务器出货量达1,630 万台，按照单台服务器的多相电源价值量约为 50~70 美元测算，当前服务器市场约对应 8.15~11.41 亿美元的多相电源需求。
此外，多相电源产品在 AI 服务器中单机价值增量显著，GPU 算力升级进一步推动量价齐升。AI 服务器与通用服务器主要区别在于 AI 服务器配备 4/8 颗CPU/GPU，以满足高性能计算需求。
根据 IDC&浪潮信息联合发布的《2025 年中国人工智能计算力发展评估报告》，2024 年全球 AI 服务器市场规模预计为 1,251亿美元，2025 年将增至 1,587 亿美元，2028 年有望达到 2,227 亿美元；2024 年中国AI服务器市场规模达到190亿美元，2025年将达到259亿美元，同比增长36.2%，2028 年将达到 552 亿美元。随着 AI 服务器需求的持续释放，智能算力领域芯片在服务器领域的市场空间有望进一步扩大。
同时，多相电源芯片通过“高效转换-动态控制-智能管理”三位一体，成为AI 端侧产品动力革新的核心引擎。随着宽禁带半导体与 AI 算法的深度结合，其在 AI 端侧产品领域的渗透将加速向“超低损耗、超高响应”演进。
传统 PC、服务器市场容量庞大，叠加 AI 服务器带来的新市场需求将为多相等大电流电源产品带来较大的市场增量，光伏、储能等多领域的应用更增加了大电流电源产品的市场规模。良好的市场前景为本项目产品构建起坚实的市场基础与广阔的发展空间，确保产品能够顺利推向市场，保障项目的顺利实施。
（3）项目依托公司优秀的研发及工艺开发实力，具备技术可行性
大电流场景下的电源管理芯片的研发具有较高的技术壁垒，公司目前已在技术、人才、工艺研发方面有充分储备，能够应对项目产品开发过程中的技术难题。
在技术储备方面，公司经过多年技术积累，已储备了“多相控制技术”等相关技术。在人才方面，公司截至 2025 年半年度，公司研发人员数量增至 756 人，研发人员数量占公司员工总数的比例为 68.35%，且公司目前已拥有核心专家及自研工艺团队，为项目的开展奠定了人才基础。
在工艺方面，公司拥有从工艺器件开发到 SPICE 模型和 PDK 的全流程自研能力。近年来，公司积极开展与供应商的合作共研，发展 BCD 特色工艺，同时具备多样化的封装工艺，将赋能 DrMOS 的工艺研发与技术迭代。
本项目依托公司人才优势、技术积累、自主可控的工艺开发平台能够顺利完成项目研发、流片、验证、工艺开发及量产的全流程，降低项目实施风险，确保项目技术可行、风险可控、保障项目的顺利实施。
4、项目涉及的政府报批情况
截至本报告出具之日，本项目备案手续尚在办理中，公司将根据相关要求履行后续审批或备案程序。
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