关于半导体，合肥高新区出台新方案

近日，合肥高新区出台《合肥高新区化合物半导体产业发展实施方案》。

主要目标是围绕碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)及氧化镓(Ga₂O₃)、金刚石等材料，到2027年，合肥高新区形成以衬底和外延材料、器件、模块为核心的全产业链条，建成较大规模特色工艺生产线，培育化合物半导体领域龙头企业5家，上市公司2家，全产业链产值突破100亿元，协同上下游产业及终端产业产值超1000亿元，成为全国重要的化合物半导体产业基地。

方案重点工作包括：

• 围绕基础科学研究及产业化能力提升，加快碳化硅、氮化镓等关键技术攻关，给予最高6000万元研发支持。

  
  

• 加强化合物半导体产业链龙头企业招引，对获批的优质化合物半导体衬底、外延及芯片生产线项目给予最高1亿元政策支持。

  
  

• 支持创新平台或检验检测企业为化合物半导体企业提供晶圆功能性、可靠性、兼容性测试(含中测成测)、失效分析、车规认证等业务，按照实际服务费用，给予最高100万元支持。

  
  

• 围绕新能源汽车、光伏逆变、通信基础设施等领域，征集一批化合物半导体应用创新技术和解决方案，每年安排不少于3000万元资金，支持示范效应显著的标杆场景。支持产业链上下游合作，给予最高200万元支持。

  
  

• 围绕化合物半导体产业发展要素保障，完善专业人才团队招引机制，对优秀创业团队，给予从人才招引到生产办公用房等最高1亿元的创业支持。