英飞凌作为全球功率系统的市场领导者，将携带广泛的功率器件产品组合参加2025 PCIM Asia展会，并将于现场带来一系列精彩活动：
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你将可以在现场看到英飞凌资深“攻城狮”针对数篇本年度PCIM国际研讨会入选论文进行深度解读，话题涵盖：
新型高功率CoolSiC™ MOSFET开关特性研究
光伏系统高效SiC解决方案
驱动电路的驱动能力和杂散参数对器件开关性能的影响
海上高压直流输电的经济解决方案及其风电集成与性能比较
针对储能系统的优化型驱动策略
直播主题：
与作者面对面，深度解读2025 PCIM Asia论文
直播时间：
2025年9月24日 15:30-17:00
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02
可靠性革命：Easy C系列创新设计破解
高温、功率、寿命三重挑战
📅时间：
2025年9月24日 13:20-13:40
📍地点：
N4B50论坛区
演讲人
周明
英飞凌科技工业与基础设施业务
大中华区主任工程师
演讲简介：
Easy C系列模块产品的创新设计包括：
采用新的塑壳材料和硅凝胶，能够在高温环境，高压条件下保持稳定的性能
优化的芯片和大电流功率输出Pin设计，能够提高系统的整体效率
先进的铜绑定线和扩散焊技术，能够延长产品的使用寿命
通过这些创新设计，Easy C系列产品能够破解高温、功率、寿命三重挑战，提供更可靠、更高效、更长寿的产品解决方案。
CoolSiC™ MOSFET新一代G2的
特点及设计要点
📅时间：
2025年9月24日 13:20-13:40
📍地点：
N4B50论坛区
演讲人
陈立烽
英飞凌科技高级技术总监
工业与基础设施业务
大中华区技术负责人
演讲简介：
随着新能源汽车、可再生能源与高性能工业设备的快速发展，功率器件正朝着更高效率、更高功率密度和更高可靠性的方向演进。碳化硅（SiC）技术凭借其低导通电阻与优异的高速开关特性，已成为下一代电力电子的核心选择。英飞凌全新一代CoolSiC™ MOSFET G2在延续上一代优异性能的基础上，进一步优化导通损耗与开关损耗的平衡，提升系统效率与热管理性能。本报告还将分享关键设计要点，包括栅极驱动策略、寄生参数抑制等设计优化。
英飞凌CoolSiC™赋能固态配电
革新系统性能
📅时间：
2025年9月26日 13:00-13:20
📍地点：
N4B50论坛区
演讲人
鲍秀平
英飞凌科技工业与基础设施
业务大中区市高级市场经理
演讲简介：
随着新能源、数据中心和智能微电网等领域对电力智能化的需求日益增长，固态断路器的应用场景正逐渐成为行业的焦点。英飞凌凭借其全面的碳化硅器件产品线和最新推出的JFET技术，能够显著提高电力转换的效率和可靠性，减少能量损失，提高系统的整体性能。特别是最新的JFET技术，其业界领先的导通电阻以及在短路和雪崩故障条件下的高可靠性，为固态断路器的性能和可靠性提供了强有力的保障，确保系统的安全性和可靠性。
通过采用英飞凌碳化硅和JFET赋能的固态断路器解决方案，客户可以实现电力智能化的目标，提高竞争力，实现可持续发展。
欢迎大家踊跃报名，9月底现场见！
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