据《自然》期刊发表的论文报道，约翰斯・霍普金斯大学的研究团队研发出一种新型芯片制造技术，该技术采用波长 6.5 纳米至 6.7 纳米的激光（即软 X 射线），可将光刻设备的分辨率提升至 5 纳米及以下。科研人员将其命名为 “超极紫外光刻技术”（Beyond-EUV），暗示该技术有望取代行业标准的极紫外（EUV）光刻技术。不过研究团队坦言，即便要搭建实验性 B-EUV 设备，仍需数年时间攻关。
软 X 射线光刻：从理论挑战超数值孔径技术
当前最先进的芯片制造依赖 EUV 光刻技术：工作波长 13.5 纳米的极紫外光在 0.33 数值孔径（Low-NA）系统中可实现 13 纳米制程；0.55 数值孔径（High-NA）系统能突破至 8 纳米；而 0.7-0.75 超数值孔径（Hyper-NA）系统虽可企及 4-5 纳米制程，却需配备数亿美元的极端复杂光学系统。
约翰斯・霍普金斯大学的研究表明，即便采用中等数值孔径的透镜，短波长软 X 射线仍能凭借固有特性提升分辨率。然而 B-EUV 技术面临多重现实挑战：
- 光源技术瓶颈
尽管科研人员已尝试多种方案（如钆激光等离子体）生成 6.7 纳米波长辐射，但尚未形成行业标准光源方案； - 光刻胶兼容性难题
短波长光的高光子能量与传统芯片光刻胶材料相互作用效率极低； - 光学元件空白
6.5-6.7 纳米波长光几乎被所有材料吸收而非反射，此前从未成功制备该波段的多层镀膜反射镜； - 生态系统缺失
此类光刻设备需从零设计，目前缺乏配套元件与耗材供应链支持。换言之，研发 B-EUV 设备（或软 X 射线光刻机）需在光源、投影反射镜、光刻胶乃至 pellicle（ pellicle，中文常译为 “保护膜”）/ 光掩模等耗材领域实现全面突破。
分阶段攻克技术壁垒
由迈克尔・察帕齐斯（Michael Tsapatsis）教授领衔的约翰斯・霍普金斯大学团队，目前聚焦于探索特定金属材料对 B-EUV（约 6 纳米波长）光与芯片光刻胶相互作用的优化（注：该研究尚未涉及软 X 射线相关的其他技术挑战）。
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