本周一（9月22日），韩国科技巨头三星电子（Samsung Electronics）股价大幅上涨5%，盘中一度触及83,400韩元，创下过去一年以来的新高。在三星股价的带动下，韩国综合股价指数（KOSPI）也上涨了0.8%。
此次股价飙升的直接原因，是其第五代12层堆叠HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片产品已正式通过英伟达（NVIDIA）的资格认证测试。这一突破标志着三星在全球AI高带宽存储器（HBM）市场的竞争中迈出了关键一步。
12层HBM3E终获英伟达“通行证”
长期以来，HBM芯片作为AI训练和推理系统中的核心组件，其性能直接决定了GPU的算力表现。英伟达作为全球AI芯片的领导者，对HBM供应商的认证极为严苛，要求产品在带宽、功耗、散热和可靠性等方面达到极高标准。
此前，三星的HBM3E产品虽已向AMD和博通等客户供货，但在多次尝试中均未能通过英伟达的认证。据知情人士透露，英伟达要求HBM芯片的数据传输速率超过每秒10千兆位元（10 Gbps），远高于行业普遍的8 Gbps标准，这对芯片的堆叠工艺和信号完整性提出了巨大挑战。
此次12层HBM3E的成功认证，意味着三星已克服了此前在发热和功耗方面的技术难题，成为继SK海力士（SK Hynix）之后，第二家获得英伟达HBM3E认证的供应商，同时也是全球第三家（美光此前已获认证）。
SK海力士仍领先，三星紧追
尽管三星取得重大突破，但其竞争对手SK海力士目前仍处于领先地位。SK海力士不仅是英伟达HBM芯片的主要供应商，已实现大规模量产和供货，更在技术演进上走在前列。上周，SK海力士宣布已完成HBM4芯片的开发，进一步巩固了其技术优势，其股价也因此创下历史新高。
本周一，SK海力士股价呈横盘走势，而美光科技（Micron）美股上周五则下跌3.5%，反映出市场对三星突破的反应存在分化。
初期供应有限，但意义重大
韩国媒体指出，三星目前已准备向英伟达供应其12层HBM3E存储芯片，但初期产量和供应量将较为有限。三星计划在2024年将其HBM的供应量比2023年至少增加三倍，以满足不断增长的AI市场需求。
值得注意的是，三星在HBM领域的研发并未止步于HBM3E。据韩国媒体报道，三星已经借助1c代DRAM技术及自家4nm逻辑芯片，实现了HBM4产品11Gbps的数据传输速率，成为行业首个达此指标的厂商。未来，三星有望将HBM4供应体系扩展至AMD、博通及谷歌等科技巨头，进一步巩固其在全球HBM市场的领先地位。
富国银行分析师Andrew Rocha认为，三星HBM芯片的进展可能会对HBM市场的定价产生负面影响，“特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话”。然而，对于三星而言，此次认证的意义更多在于技术认可和市场地位的提升，而非短期内的营收增长。
HBM在AI浪潮中的核心地位
HBM通过将多个DRAM芯片垂直堆叠，并利用硅通孔（TSV）技术连接，实现了远超传统GDDR的带宽和能效。在训练ChatGPT等大型语言模型时，HBM的高带宽和低延迟特性至关重要。
目前，英伟达的H100、H200等高端AI GPU均依赖HBM3或HBM3E芯片。随着AI模型规模持续扩大，对HBM的需求呈现爆炸式增长，推动了整个存储产业链的升级。
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