华为布局碳化硅，公布2项技术专利

华为近日公布了两项涉及碳化硅散热技术的专利，分别为《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》。

其中前者提供了一种导热组合物及其制备方法和应用，后者则提供了一种导热吸波组合物及其应用。

《导热组合物及其制备方法和应用》专利方面，该导热组合物包括基体材料和导热填料；导热填料包括大粒径填料和小粒径填料，所述大粒径填料与小粒径填料的平均粒径的比值在3以上，所述大粒径填料至少包括平均球形度在0.8以上的碳化硅填料。

该导热组合物的大粒径填料包括球形度在0.8以上的碳化硅填料，可使得含这样的导热填料的导热组合物的流动性较高，且导热性能优良，便于满足电子设备领域对综合性能优异的导热材料的需求。

图片来源：国家知识产权局专利信息截图

《一种导热吸波组合物及其应用》方面，该组合物包括包括有机基体、导热填料和吸波填料；导热填料包括大粒径导热粒子和小粒径导热粒子，大粒径导热粒子包括高球形度高纯碳化硅填料；其中，高球形度高纯碳化硅填料的球形度在0.8以上，碳化硅的质量含量大于或等于99.0％；吸波填料包括球形羰基铁和片状羰基铁。

该组合物中大粒径导热粒子包括上述碳化硅填料，使得该组合物的流动性及导热性能好，再加上该碳化硅填料与球形羰基铁、片状羰基铁的协同配合，还可使得该组合物的吸波性能良好，能满足电子设备领域对综合性能优异的导热和/或吸波功能材料的需求。

图片来源：国家知识产权局专利信息截图

碳化硅材料以其高达500W/mK的热导率而闻名，远超硅的150W/mK和陶瓷基板的200~230W/mK，且其热膨胀系数与芯片材料匹配，适合高功率AI芯片的散热需求。

随着AI芯片功率的不断提升，散热问题日益突出，尤其是英伟达的GPU芯片功率已从700W提升至1400W，未来可能接近2000W。

此前有媒体报道，英伟达计划在其新一代Rubin处理器中将中间基板材料从硅更换为碳化硅，以提高散热性能，预计将在2027年开始大规模应用。

针对碳化硅散热，多家公司在投资者互动平台有所披露：

天岳先进表示，公司在前瞻性技术创新上继续布局，除供应应用于功率器件、射频器件的碳化硅衬底材料外，公司还广泛布局了光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等新兴领域的碳化硅产品及技术。

三安光电表示，公司持续推进碳化硅衬底在AI/AR眼镜、热沉散热等方向的应用，热沉散热用碳化硅材料早已开始研发，目前处于送样阶段。