美光撼动HBM格局

美国半导体公司美光公司24日发布的消息震动了全球半导体行业。这是因为美光公司当天在公布6月至8月业绩的同时，宣布其HBM4（高带宽存储器）的速度已达到业内最高水平，这与市场此前的预期相悖。此前，业界普遍认为，由于未能达到NVIDIA的速度要求，美光公司将在HBM4的竞争中落后，从而引发SK海力士和三星电子之间的双雄争霸。然而，这一预期已被颠覆。

当天，美光公司宣布其第四财季（6-8月）营收较上年同期增长46%，达到115亿美元（约合15.79万亿韩元），营业利润则飙升126.6%，达到45亿美元（约合5.52万亿韩元），业绩惊喜超出市场预期。调整后每股收益为3.03美元，营业利润率达到35%。

从业务板块来看，云虚拟服务器内存销售额大幅增长，营收同比增长213.6%，达到45.43亿美元。高带宽内存（HBM）业务也保持强劲增长。6-8月HBM销售额达20亿美元，年销售额达80亿美元。HBM客户数量也扩大至6家。美光表示：“AI数据中心的扩张和高性能服务器内存需求的增长推动了销售额和利润率的提升。”

比强劲表现更受关注的，是与HBM4相关的发布。美光公司当天宣布，已向客户交付HBM4样品，并实现了业界领先的11Gbps速度。近期，半导体业界认为，NVIDIA要求半导体公司将HBM4速度提高到10Gbps以上，而美光公司未能达到这一要求。三星电子正在使用领先一代的1c DRAM生产HBM4，同时还采用4纳米（1纳米为十亿分之一米）先进晶圆代工技术制造位于HBM底部的“Base Die”。SK海力士也将Base Die的生产委托给总部位于台湾的全球领先晶圆代工企业台积电。相比之下，据观察，美光公司在开发HBM4时，DRAM和Base Die均采用其内部技术，更注重低功耗而非速度，因此难以满足NVIDIA的条件。

不过，美光CEO桑杰·梅赫罗特拉当天表示：“我们已经准备好了一款能够提供超过11Gbps的业界领先速度和最佳功率效率的产品。” 美光提到，HBM4将于明年第二季度开始量产出货，下半年将全面投产。梅赫罗特拉补充道：“到2026年，我们的HBM市场份额将比今年有所扩大。”

尽管美光的量产时间表晚于三星电子和SK海力士的预期，但业界分析称，美光提前进入HBM4市场将产生重大影响。一位科技行业人士评论道：“如果美光的声明属实，他们可能会降低此前强调的低功耗性能，以提高速度。”他还补充道：“HBM4的竞争原本是SK海力士和三星电子之间的双向竞争，如今将演变成SK海力士、美光和三星电子之间的三方竞争，竞争将进一步白热化。”

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