9 月 25 日，英飞凌宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。
英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）
罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）
未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。
此次合作的核心并非简单的产能共享，而是围绕封装技术的深度互补。SiC 器件在工作过程中需要应对高电压、高频和高热流密度，封装设计直接决定了系统效率与可靠性。
◎ 英飞凌的贡献主要在于其创新的顶部散热封装平台（TOLT、D-DPAK、Q-DPAK 等系列），封装统一在 2.3 毫米高度，使散热路径更直接，系统无需额外的绝缘金属基板，从而降低了散热系统成本。
顶部冷却设计还减少了寄生电感和热阻，功率密度提升幅度最高可达两倍。对系统设计者而言，这意味着更小的体积、更低的损耗和更快的充电速度，特别适合电动汽车车载充电器和快充桩等对效率和空间敏感的场景。
◎ 罗姆的优势则集中在其独特的 DOT-247 半桥结构。通过将两个 TO-247 封装并联构成模块化设计，DOT-247 将热阻降低约 15%，寄生电感减少 50%，功率密度达到传统 TO-247 的 2.3 倍。
这一设计为系统提供了更高的功率输出能力和设计自由度，尤其适合牵引逆变器和数据中心电源等高电流场景。
此外，罗姆的第四代沟槽型 SiC MOSFET 也在开关损耗与短路耐受能力之间取得了平衡，兼顾了效率与可靠性。
罗姆将采用英飞凌的顶部散热平台，而英飞凌也将引入罗姆的 DOT-247 模块技术。这种双向引入不仅丰富了各自的产品组合，还推动了封装标准化。对于下游客户而言，统一的封装高度、可互换的模块化设计意味着更低的设计门槛和更高的系统可维护性。
未来，英飞凌与罗姆还计划扩大合作范围，将涵盖采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带功率技术的更多封装形式。此举也将进一步深化双方的合作关系，为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。
SiC功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助英飞凌与罗姆的SiC功率器件，客户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。
来源：英飞凌、芝能智芯
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