存储器大厂美光科技（Micron）近日宣布，其DRAM与NAND Flash部门取得多项关键进展，特别是在高带宽存储器（HBM）领域，不仅带动强劲的业绩成长，更确立了在下一代HBM技术上的领导地位。
在最新一季的财报会议上，美光总裁暨执行长Sanjay Mehrotra强调，公司正积极透过下一代解决方案提升其市场表现。特别值得关注的是，美光已确认向客户出货业界最快的11 Gbps HBM4样品，同时宣布将与晶圆代工龙头厂商台积电合作，共同制造HBM4E存储器的基础逻辑芯片（base logic die），为未来的尖端运算奠定基础。
在HBM技术方面，美光明确表示，其HBM市占率正稳步成长。美光重申，其HBM4 12-Hi DRAM解决方案进度符合预期，目的在支援客户平台的加速开发。另外，为满足市场对HBM4带宽和脚位速度日益成长的需求，美光已生产并出货了迄今为止最快的HBM4解决方案样品。该产品提供了超过11 Gbps的脚位速度与超过2.8 TB/s的带宽。美光相信，这项新产品在性能和效率方面将超越所有竞争对手的HBM4产品，提供业界领先的性能和同类最佳的电源效率。
Mehrotra表示，美光HBM4产品的关键差异化因素，包括其成熟的1-gamma(1γ)DRAM制程、创新且具电源效率的HBM4设计、内部开发的先进CMOS基础芯片，以及先进的封装创新技术。此外，美光目前已将HBM客户群扩大至六家。
展望下一代HBM4E存储器，美光预计其将于2027年推出。在HBM4E的开发上，美光的战略布局与HBM有所不同。虽然HBM完全基于美光内部与先进的CMOS基础晶粒设计，但针对HBM4E存储器，美光将选择与台积电合作，共同制造基层逻辑晶粒。
这项与台积电的合作将适用于HBM4E的标准产品和客制化产品。美光指出，对于HBM4E，他们将提供标准产品，同时也允许客户客制化基层逻辑芯片，而客制化需求高度依赖与客户之间的紧密协作。美光预期，配备客制化基层逻辑晶粒的HBM4E产品，将能比标准HBM4E带来更高的毛利率。
市场供需方面，美光在HBM销售上已取得重要进展。公司与几乎所有客户就2026年绝大多数HBM3E供应签订了定价协议。其中，针对HBM4，美光目前正与客户积极讨论规格和数量。公司预计在未来几个月内，将能完成协议，以销售出2026年剩余的总HBM供应量。
而除了HBM的领导地位，美光在其他高性能存储器领域也持续保持领先。美光与英伟达（NVIDIA）密切合作，率先在服务器中推动低功耗DDR（LPDRAM）的采用。自英伟达在其GB产品系列中推出LPDRAM以来，美光一直是数据中心LPDRAM的独家供应商。
此外，美光在GDDR7产品上也处于有利地位。该存储器专为提供超高速性能和同类最佳的电源效率而设计，以满足未来特定AI系统的需求。美光预期，GDDR7未来迭代产品的脚位速度将超过40 Gbps。美光最初发布的GDDR7脚位速度为32 Gbps，因此超过40 Gbps将标志着约25%的速度提升。目前，英伟达是唯一在GPU中利用GDDR7的GPU制造商。
最后，在基础技术制程方面，美光取得重大成就。其1γDRAM节点已在创纪录的时间内达到成熟的良率，速度比前一代快了50%。Mehrotra强调，G9 NAND的生产进展顺利，涵盖了TLC和QLC NAND Flash解决方案。而在固态硬盘（SSD）领域，美光是率先将PCIe Gen6 SSD推向针对数据中心应用。展望未来，美光将继续提供更多采用16Gb 1γDRAM的解决方案。（文章来源：科技新报）
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