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在人工智能与大数据技术驱动存储需求指数级增长的产业变革期，新存科技于近日重磅推出新一代内存级存储芯片NM111。这款采用全自主知识产权三维集成技术的突破性产品，凭借64Gb超大容量、低延迟及高耐久性等核心指标，达到国际领先水平，为我国构建自主可控的存储产业生态注入强劲动能。
作为国内首款具备内存级性能的新型存储芯片，NM111通过先进的三维垂直堆叠架构与纳米级互联技术，实现64Gb超大容量，存储密度较传统DRAM提升数倍。该芯片支持内存语义访问，支持随机读写操作，读取延时低至百纳秒，带宽高达3.2Gbps，可广泛应用于服务器内存扩展、数据库缓存等场景。其突破性的非易失特性更可实现断电数据保护，在元数据存储等关键领域将系统性能提升至全新维度。
新存科技于2024年9月和2025年初分别发布首款64Gb国内最大容量三维新型存储级芯片NM101，和128Gb的升级产品NM102。此次发布的NM111属于全新持久内存芯片系列，在性能和可靠性方面实现全面提升。基于公司在设计、材料、工艺、器件、测试等多方面的持续创新，NM111耐久度较前作提升超10倍，抗干扰能力大幅增强，可满足客户各种内存应用场景的需求。
NM111采用创新的架构设计，凭借大容量、低延迟、高寿命等优势，为AI大模型推理提供多维度的优化方向，大幅提升计算与存储的融合效率，更好地服务于大算力数据中心和云服务基础设施。搭配合作伙伴的系统解决方案，NM111可使数据存储在相同投入下存得更多、存得更快、存得更久。终端客户的测试结果显示，配合先进的系统接口协议，该芯片赋能高性能模组，可支持超大容量内存空间，为系统解决方案提供无限可能。
新存科技在大容量新型存储芯片领域坚持自主研发、持续更新迭代，未来还将推出更多系列的芯片产品。公司将与上下游合作伙伴深度合作，在新型存储芯片蓝海中共同发掘更多应用场景，扩大应用范围，携手推进新型存储器生态的蓬勃发展。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4082期内容，欢迎关注。
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