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近日，三星电子与韩国本土光掩模材料企业S&S Tech共同提交了一项关于极紫外光（EUV）光刻用防护薄膜（pellicle）框架结构的专利申请。、
据悉，此次联合申请的专利名称为“用于光刻技术的光掩模上的防护膜附件的框架组件”，其专利号达1020240030406 。该专利于去年3月提交申请，不过具体细节直至最近才对外公布，且目前此专利尚未完成注册。值得一提的是，这是S&S Tech与其他公司携手共同申请的首项专利。
图源：三星
该薄膜是一种具备超薄且透明特性的膜层，在芯片生产流程中发挥着保护光掩模的关键作用。在光刻操作环节，当于晶圆表面绘制电路图案时，这种防护膜能够有效阻止颗粒与杂质在掩模表面堆积。该防护膜的厚度极薄，仅处于纳米级别，这就要求它必须具备高透光率，同时还要能够承受高温环境以及等离子环境的考验。
该专利详细阐述了运用磁性框架组件把防护薄膜固定到光掩模上的具体方法。根据专利文件描述，借助磁力将螺柱稳固地安装在框架下方区域的光掩模与夹具之上，防护膜能够迅速且精准地与光掩模实现对齐。这种框架还具备便于拆卸和回收利用的优点。而且，由于粘合剂的使用量被控制在最低水平，气体释放量也随之减少。
S&S Tech是韩国少数具备高端光掩模材料研发与生产能力的企业。而光掩模是芯片制造中的“模板”，其质量直接决定芯片的精度与性能。目前，全球高端EUV空白掩模（blank mask）市场长期被日本Hoya等企业垄断。三星目前仍主要依赖Hoya供应EUV空白掩模，供应链存在潜在风险。
S&S Tech在今年8月已宣布投资扩建EUV空白掩模和防护膜的生产线。而三星此次与其联合申请专利，不仅是技术合作的体现，更被广泛解读为推动EUV掩模及防护膜本土化、实现供应链多元化的战略举措。通过深度绑定本土供应商，三星有望在未来几年内逐步减少对日本供应商的依赖，提升自身供应链的韧性与安全。
除S&S Tech外，三星已与另一家韩国企业FST在2024年联合注册了EUV掩模粘合剂专利，显示出其系统性构建本土EUV材料生态的意图。
尽管目前三星在其EUV产线上尚未普遍使用防护膜，但随着制程不断微缩，防护膜的必要性日益凸显。提前布局相关专利和技术，有助于三星在未来竞争中掌握主动权。
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