10月14日，氮化镓（GaN）功率器件制造商英诺赛科在港交所公告，公司正与英伟达展开深度合作，共同开发支持800V直流（800 VDC）电源架构的全氮化镓（GaN）电源解决方案。这一合作旨在为新一代“人工智能工厂”（AI Factories）提供更高能效、更高功率密度的供电系统，助力数据中心实现绿色低碳转型，应对AI算力爆发带来的能源挑战。
随着生成式AI、大模型训练和推理应用的迅猛发展，全球数据中心正加速向“AI工厂”演进。英伟达在其GTC大会上多次强调，AI数据中心不再是传统服务器集群的简单扩展，而是集成了数万颗GPU、高速互连网络与海量存储的超级计算中枢。然而，这种前所未有的算力密度也带来了巨大的能源压力。
据估算，一座大型AI数据中心的功耗可达数十甚至上百兆瓦，相当于一座中小型城市的用电量。在如此高负载下，传统基于硅（Si）基器件的48V或54V低压直流供电架构已显疲态：转换效率低、能量损耗大、散热需求高、占用空间多，严重制约了系统的整体能效与可扩展性。
英伟达CEO黄仁勋就曾指出，AI的未来不仅取决于算力，更取决于能源效率。我们必须重新思考整个数据中心的架构，从芯片到系统，再到供电网络。
800VDC机架电源架构将在人工智能数据中心领域实现了重大突破，它不仅能显著提升效率与功率密度，还能有效降低能耗需求，并减少二氧化碳的排放量。这一技术变革，与电动汽车行业从400V向800V的跨越式升级颇为相似，可使电流降低16倍，从而大幅减少I2R损耗并最大限度降低对铜材的需求。
除了向800V机架电源过渡外，该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。而这只有氮化镓功率器件(GaN)能够同时满足这些严苛要求。
英诺赛科与英伟达的合作，正是针对这一痛点，提出了一套革命性的解决方案：采用800V高压直流（800 VDC）配电架构，结合全氮化镓（GaN）功率器件，构建新一代高效电源系统。该解决方案能够在提升效率、功率密度、可靠性和环保指标的同时，显著压缩系统体积和成本，是面AI大算力、数据中心以及高压电动汽车充电等场景的关键技术路径。
其中，氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频、高效率、低导通电阻和耐高温等特性，是实现高压高效转换的理想选择。全GaN电源系统可在MHz级高频下工作，显著缩小电感、变压器等无源元件体积，从而大幅提升功率密度——单位体积内可提供的电力输出。
英诺赛科凭借其全球领先的8英寸GaN-on-Si制造平台，已实现高性能GaN器件的规模化量产。此次合作中，英诺赛科将提供基于其InnoGaN®技术的高压GaN FETs，为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案，构建全链路高效转换系统。
受这一消息的影响，英诺赛科(02577)高开近15%。
