来源：内容来自半导体芯闻综合。
三星电子即将对英伟达的第六代高带宽内存（HBM4）进行最终质量测试之际，负责生产HBM“大脑”——“逻辑芯片（Logic Die）”的代工（半导体委托生产）事业部也正全力支援。为了与正在大幅增加HBM4产量的存储事业部保持步调一致，代工事业部正在扩大逻辑芯片晶圆的投入量，并将良率提升至最大水平，以建立稳定的生产体系。
从HBM4开始，负责HBM大脑功能的逻辑芯片将采用先进制程。HBM4的逻辑芯片安装在由多个DRAM堆叠而成的HBM底部。逻辑芯片作为控制器部件，连接堆叠的DRAM与在人工智能（AI）半导体中负责运算的图形处理器（GPU），起到电力供应和数据信号控制的作用，是核心部件。
据业界20日消息，三星电子代工事业部生产的4纳米（nm）工艺逻辑芯片的良率已超过90%。逻辑芯片良率达到90%意味着通过4纳米工艺生产的10个逻辑芯片中有9个以上为合格品，这表明技术已稳定到足以进行大规模量产的程度。由于三星电子存储事业部正在为英伟达（NVIDIA）和AMD等客户供应HBM4样品并进行量产，代工事业部也将逻辑芯片产量提升至整个4纳米生产线产能的一半水平，并在全力运转。
三星电子在逻辑芯片制造中使用自家代工事业部的4纳米工艺，而SK海力士则使用台积电（TSMC）的12纳米级工艺。美光（Micron）采用自家12纳米级DRAM工艺，但那是公司所拥有的最先进工艺。通常情况下，半导体工艺越微细化，性能越高，功率效率也越好。随着HBM代际的更替，对比前一代产品性能要求不断提高，同时发热问题也愈加严重，因此存储半导体企业从HBM4开始，在HBM的核心——逻辑芯片上引入先进制程。
一位半导体业界相关人士表示：“三星电子代工事业部的4纳米工艺已进入成熟阶段，其整体工艺良率超过80%。逻辑芯片良率在年初试生产阶段就超过了40%，表现出稳定态势。”他还表示：“由于存储事业部把HBM4视为关乎命运的重要项目，负责生产HBM4核心——逻辑芯片的代工事业部也在全力支援。”
业内评价认为，三星电子代工事业部稳定的良率表现令人鼓舞，因为从第七代HBM（HBM4E）开始，“定制化HBM”时代预计将正式开启。业界预计，从HBM4E起，将进入根据客户所使用的AI半导体应用进行优化的HBM开发阶段。为此，必须在逻辑芯片上按照客户需求设计电路，并具备能够根据多样化需求进行生产的代工工艺能力。
一位半导体业界相关人士表示：“三星电子为了弥补前几代产品中的不振，抢先于竞争对手在HBM4逻辑芯片上采用了更先进的制程。”他补充道：“虽然仍需市场的验证，但可以确定的是，在即将到来的下一代HBM市场中，代工工艺技术力的重要性将更加凸显。”
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