1、项目的基本情况
江苏长晶科技股份有限公司拟投资 22,855.15 万元，通过增加研发投入、引进专业人才及购置先进检测设备等方式，对不同类型的 MOSFET 和电源管理 IC 产品进行研发并实现其产业化。本项目的实施主体为长晶科技，项目建设期为 3 年。
该项目旨在强化公司在 MOSFET 和电源管理 IC 领域的技术优势，进一步丰富产品类别，提高市场占有率；加大对 CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET、电源管理 IC 等相关技术进行研究，并实现更多型号产品的产业化，以满足汽车电子、节能家电等领域对功率半导体的需求，推动公司现有产品结构升级，完善公司业务布局，助力高可靠性功率器件和电源管理 IC 产品的国产化替代，增强公司盈利能力和核心竞争力。
2、项目建设的必要性
（1）本项目有利于公司优化产品结构，拓宽业务空间
江苏长晶科技股份有限公司作为一家综合型半导体企业，经过多年的积累，已建立健全了二极管、三极管、MOSFET、电源管理 IC 等产品线。考虑如汽车电子、消费电子、工业控制等多个下游应用领域的兴起及转型升级，带来的对 CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET、电源管理 IC 等新型高技术含量、高可靠性的功率半导体产品需求持续增加，公司需要不断调整和优化现有产品结构，以匹配不同领域客户的需求。
本项目的建设将通过购置新的实验设备、新增高新技术人员等方式，一方面对现有的 MOSFET 和电源管理 IC 产品型号进行扩充，另一方面通过对 CSPMOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET 和新型电源管理 IC 涉及的新技术进行研发，实现新型产品的产业化。因此本项目的实施，将进一步优化公司产品结构，推动公司产品向高技术含量、高端化转型发展，促使公司产品覆盖更广的业务空间，巩固公司市场地位，为公司长期可持续发展奠定基础。
（2）本项目有利于公司进行技术创新，提升技术实力
半导体行业作为技术驱动性产业，技术创新能力是企业生存和安身立命的根本。行业内相关企业需要进行持续的研发和创新才能满足下游客户对产品电能转换效率、稳定性、高压大功率等性能指标不断提升的要求。
通过本项目的实施，公司将在 MOSFET 和电源管理 IC 领域加大研发投入，顺应行业技术发展趋势，引进更多专业技术人才，强化 CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET、新型电源管理 IC 等产品研发团队，对关键技术进行研发突破，并进行相关产品的产业化探索和实践。除此之外，本项目的实施建设还将为相关技术的研发提供必备的实验设备和实验材料。
因此项目实施将为公司进行持续技术创新提供有利的内部环境，为公司持续提升技术实力，增强核心竞争力，实现可持续发展奠定基础。
3、项目建设的可行性
（1）项目建设符合国家政策指导方向
作为现代信息产业的核心，近年来我国先后出台了《国家信息化发展战略纲要》等多项政策强调并支持半导体产业发展和分立器件产品技术突破与创新，为行业发展提供了顶层规划设计和财税、人才、投融资等多种政策支持。在上述政策推动下，我国半导体行业快速发展，行业技术水平持续提升。
本项目旨在基于公司业务发展规划、充分发挥公司自身资源优势的基础上，持续深耕功率半导体领域，对 CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结MOSFET、电源管理 IC 等高可靠性功率半导体进行研发并实现产业化，以提升公司技术实力，优化公司产品结构，实现公司可持续发展。因此项目实施符合国家产业规划，是公司响应国家产业政策指导方向的重要措施，在宏观政策层面具有可行性。
（2）广阔的下游市场空间是本项目实施的基础
CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET、电源管理 IC 等高可靠性功率半导体，在消费电子、工业控制、通讯市场、计算市场、汽车电子等众多下游领域应用广泛，产品市场需求随着下游行业的发展不断增加。
本次项目核心产品作为多个下游应用领域中电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统等组件中必备的电子器件，其产品需求将随着下游行业的持续扩张而快速发展，产品具有广阔的下游市场空间，为项目顺利实施提供支持。
（3）公司丰富的技术积累和良好的品牌声誉为本项目提供支持
公司高度重视技术研发和产品创新，基于行业先进技术发展方向组建了专业的研发团队，具备独立的产品设计能力并搭建了自主产品工艺技术平台，新产品开发能力强，产品导入市场速度快。在 MOSFET 相关技术及产品研发领域，公司已经取得了多项专利技术，已具备 CSP MOSFET、SGT MOSFET、超结 MOSFET 等产品的产业化能力，具备深厚的技术积累；在电源管理 IC 相关技术及产品研发领域，公司积累了多项关键技术。
上述技术积累为公司后续在MOSFET 和电源管理 IC 产品领域持续进行技术研发和产品创新奠定技术基础。同时，公司依托优良的产品品质、齐全的产品线以及较强的方案开发能力，产品被广泛应用于消费电子、工业电子、汽车电子、通信设备等领域，在行业内具有较高的品牌知名度和认可度。
综上所述，公司丰富的技术积累和良好的品牌声誉为本次高可靠性功率器件及电源管理 IC 项目提供了研发实力支持和良好的品牌支撑，共同保证了本次项目的顺利实施。
4、项目投资概算
本项目总投资的概算表如下：
场地购置及装修 4,620.00 万元； 设备购置及安装 2,797.00 万元；技术研发费用 12,695.00万元；基本预备费 222.51万元；铺底流动资金 2,520.64 万元；合计 22,855.15万元。
5、项目实施周期及进度安排
本项目预计建设期 3 年。
6、项目备案程序的履行情况
本项目已取得南京市江北新区管委会行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》（宁新区管审备〔2022〕327 号）。
本项目不涉及生产加工环节，不会对周围环境产生不良影响。根据《中华人民共和国环境影响评价法》、《建设项目环境影响评价分类管理名录（2021年版）》等相关规定，本项目无需取得环评批复或者环评备案。
7、项目实施地点与环境保护情况
本项目建设地点位于南京市江北新区华创路 65 号智能制造研发设计中心T2 号楼，长晶科技已于 2021 年 5 月 7 日与南京软件园科技发展有限公司签订《企业购房意见协议书》。本项目不涉及污染物排放。
8、项目经济效益分析
项目的税后全部投资回收期为 6.32 年（含建设期 3 年），税后投资内部收益率 21.43%，税后净现值为 10,914.43 万元（测算期间为 8 年，含 3 年建设期）。
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