聚焦AR眼镜关键：SiC光波导技术研讨会

为了推动 AR 眼镜技术的发展，解决碳化硅光波导等关键技术难题，加强行业内的交流与合作，半导体在线11月7日在无锡联合举办“聚焦 AR 眼镜关键：碳化硅光波导技术研讨会”，欢迎参会、参展等合作。

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近日，国家标准委网站公布，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟确立标准，自10月23日起公开征询意见，截止日期为11月22日。该标准由上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司共同负责起草。

极紫外（EUV）光刻胶作为半导体制造进入3 nm及以下节点的核心材料，其性能直接决定了芯片制造的良率与制程精度，对我国集成电路产业实现自主可控发展具有重大战略意义。当前，随着全球半导体产业向先进制程加速演进，EUV光刻技术已成为7 nm及以下节点的唯一量产方案。

然而，与之配套的EUV光刻胶市场长期被日美企业垄断（JSR、东京应化等占据超过95%全球市场份额），导致我国高端芯片制造面临严重的供应链安全风险。

在国内晶圆厂扩产潮持续高涨、5G和人工智能等领域对先进芯片需求激增的背景下，EUV光刻胶的国产化率为零，研发也仍处于起步阶段，亟需突破材料自主化与标准化壁垒。

EUV光刻胶需要满足超高真空环境（10??~10?? Pa）下的低释气污染、纳米级分辨率以及原子级纯度（金属杂质<10 ppb）等严苛的技术要求。

然而，目前国内在EUV光刻胶测试领域尚未建立统一的技术规范，现有测试方法多沿用国外企业标准，导致在灵敏度（E0）、线边缘粗糙度（LER）等核心性能指标的检测流程上缺乏标准化，这不仅使得国产材料的验证周期长达1-2年，更严重制约了我国光刻胶产业的自主创新发展。

为应对这一挑战，制定《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》标准具有重要的现实意义。该标准将系统性地整合材料特性和性能参数，重点规范EUV光刻胶在纯度、抗蚀性、线边缘粗糙度、线宽粗糙度、释气污染、粘度、颗粒度、分辨率、灵敏度和对比度等关键性能指标的测试方法。

通过衔接《半导体光刻胶用树脂技术规范》等国内现有标准，构建覆盖"原材料-光刻胶-芯片制造"的全链条标准体系，为材料研发、生产制造和晶圆厂应用提供科学规范的评估依据。本标准的制定不仅能够填补国内在该领域的技术标准空白，更将通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺。

具体而言，标准实施后将实现三大目标：一是推动测试数据互认，降低晶圆厂对国产材料的导入风险；二是促进测试设备国产化替代，有效压缩研发成本；三是加速实现从"进口依赖"到"自主可控"的产业跃迁。

项目旨在通过对EUV光刻胶各项性能要求的系统分析、归纳和总结，制定科学合理的测试方法通用规范，为我国EUV光刻胶关键核心技术的突破提供标准化支撑，最终推动国内高端光刻胶产业实现高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。

本文件规定了极紫外光刻胶的测试方法，主要包括纯度测试方法、化学结构测试方法、抗蚀性能测试方法、线边缘粗糙度和线宽粗糙度测试方法、释气污染测试方法、黏度测试方法、颗粒度测试方法、分辨率测试方法和灵敏度和对比度测试方法。

国家自然科学基金重大项目-高端光刻胶先进工艺仿真及染料分子服役特性工程基础研究、张江国家实验室科技攻关专项课题：极紫外光刻胶关键技术攻关专项、上海张江国家自主创新示范区专项发展资金重大项目“放电等离子放电等离子体型（DPP）极紫外光刻胶检测装置研制”、电子信息产业质量基础设施体系建设、发展分析及重要标准和可靠性突破。

来源：半导纵横