前言
现如今，各大品牌旗下旗舰手机、轻薄笔电等产品充电功率来到百瓦之余，传统硅MOS器件难以满足各大厂商对于高功率密度PD适配器的需求。而在此类产品中换用高频、高效氮化镓功率器件可以有效降低损耗、延缓热量累积，降低散热压力，进而缩减产品体积，助力品牌工程师开发高功率密度氮化镓PD快充。
最近，充电头网在整理以往拆解案例时，发现纳微多款氮化镓功率芯片获安克快充产品采用，下文小编将为您详细介绍。
纳微多款氮化镓在安克快充应用
小编将文中出现的案例汇总至上表，可见纳微700V耐压NV6136A和650V耐压NV6115获安克多款PD快充应用。
纳微NV6136A
纳微NV6136A是一颗高集成的氮化镓功率芯片，内置驱动器以及高精度无损耗电流采样电路，消除取样电阻的损耗。NV6136A内置170mΩ导通电阻，耐压700V的氮化镓开关管，支持2MHz开关频率，采用6*8mm QFN封装，节省面积。
纳微NV6115
纳微NV6115氮化镓功率芯片为高频软开关拓扑优化。内置独立的驱动器以及复杂的逻辑控制电路，支持5-15V的宽范围逻辑信号输入。内置170mΩ导阻、耐压650V的氮化镓开关管，支持2MHz开关频率。采用5*6mm QFN封装，节省面积。
充电头网总结
纳微氮化镓功率芯片已在安克多型号PD快充中实现量产应用，覆盖30W至150W等多功率段产品，充分验证了其器件在高频、高效、高功率密度设计中的出色表现。凭借集成度高、损耗低、发热小等优势，纳微氮化镓器件助力安克在快充领域持续推出体积更小、效率更高的氮化镓充电器，进一步推动PD快充技术的高效化与轻量化发展趋势。
