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11 月 11 日科技区角消息，国内最大的 NAND 闪存芯片制造商 长江存储科技有限公司已开始建设其第三座工厂。长存正借助国产替代与人工智能双轮驱动下的超强行情，加速扩张。
知情人士透露，长江存储已在武汉启动第三座晶圆厂建设，计划于 2027 年投产。同时，公司还在扩大其他晶圆厂的产能。
作为国内主要的 NAND 闪存制造商，长江存储的市场份额稳步上升，按产能计算预计两年内将可跃升为全球第四或第五大厂商，尽管其业务仍以国内市场为主，但国内强大的需求储备，为公司业绩增长提供了长足的动力。
消息人士还称，长江存储正在考虑进军 DRAM 领域，这是构建 HBM 的基础组件，在 AI 数据中心需求旺盛。
全球领先的扩张速度
DRAM 与 NAND 闪存都是数据中心、电脑、智能手机等电子设备的关键元件。目前 NAND 市场长期由少数几家企业主导，包括三星电子、铠侠、SanDisk、SK 海力士、美光与 Solidigm。
全球科技公司正关注自身关键元件供应链安全，担心 AI 基础设施的爆发式增长可能引发新一轮供应链紧张。
据研究机构 Omdia 估算，2025 年长江存储的资本支出约占全球 NAND 投资的 20%，投资力度仅次于三星，远超多数国际同行。预计未来仍将持续加速。
Omdia 数据显示，长江存储的扩张或将使其在明年凭产能占据全球超10%市场份额，并在两年内有望超越美光，成为全球第四大制造商。目前长江存储的全球产能占比约 7%–8%，但按营收计算，仅占全球市场的不到5%。
国产DRAM厂商在AI浪潮下的机会
国产DRAM另外一家代表厂商合肥长鑫存储，目前在 DRAM 产品上全球排名已经来到第四，仅次于三星、SK 海力士与美光。
随着 AI 数据中心建设项目在后续几年的激增，DRAM 需求大涨。据悉，长鑫正在开发用于本地 AI 需求的 HBM，以应对可能会出现的出口管制。
根据报道，长鑫已退出成熟的 DDR4 产品线，转向更先进的 DDR5 技术，以匹配全球领先企业在 HBM 架构上的发展方向。
