图片来源：英特尔（Intel）
英特尔已完成行业首款商用高数值孔径（NA=0.55）极紫外光刻（EUV）系统——ASML Twinscan EXE:5200B的验收测试，为其14A制程节点的量产奠定了基础。这一里程碑标志着高数值孔径EUV技术从研发验证阶段正式迈入大规模量产阶段，该系统晶圆产能可达每小时175片，为英特尔重夺先进半导体制程领导地位提供了有力支撑。
据科技媒体Tom's Hardware报道，英特尔强调，这款新型光刻机单次曝光分辨率约达8纳米，超越了当前低数值孔径EUV约13纳米的极限；同时将套刻精度提升至约0.7纳米，这对于推进1纳米以下节点制程至关重要。
这款下一代光刻机集成了更高功率的EUV光源和重新设计的晶圆传输系统，在提升曝光效率的同时，有效降低了线边缘粗糙度（LER）、线宽粗糙度（LWR）及温度变化对良率的影响，确保了长时间稳定运行。
在部署高数值孔径EUV的同时，英特尔正优化掩膜制造、蚀刻、计量及分辨率增强技术等周边制程。这些改进减少了对多重曝光的依赖，缩短了制程周期，并降低了所需掩膜数量。
英特尔强调，14A节点将是全球首个在所有关键层全面采用高数值孔径EUV的制程，为未来更先进节点积累宝贵的量产经验。
除光刻技术突破外，英特尔还披露了未来晶体管技术规划。
英特尔晶圆代工服务（IFS）与比利时微电子研究中心（Imec）联合演示了一款兼容12英寸晶圆厂的二维材料晶体管制程，成功在大规模量产环境中验证了二维场效应晶体管（2DFETs）的接触与栅堆叠集成方案。
该技术采用镶嵌式顶部接触设计，既解决了二维晶体管低电阻、可扩展接触的技术难题，又保护了原子级薄沟道材料。英特尔与Imec指出，尽管商业化可能要到21世纪30年代末甚至40年代才会实现，但这一进展显著降低了未来引入新型材料的相关风险。
总体而言，英特尔正通过采用高数值孔径EUV推进14A制程研发，并布局二维晶体管等后硅时代技术选项，以同时满足短期量产需求与长期技术演进趋势。
随着全球先进半导体制造领域竞争加剧，英特尔旨在通过推进设备、制程技术及器件架构创新，重新确立其在供应链中的地位。
原文标题：
Intel completes high-NA EUV validation for 14A, advances 2D transistor tech
原文媒体：digitimes asia
