长江存储首席科学家：中国三维闪存芯片实现了跨越式发展

近日，在北京大学2025年研究生毕业典礼上，长江存储首席科学家、北大校友霍宗亮表示，我国的三维闪存芯片技术从无到有、从落后到赶超，实现了跨越式的发展。

资料显示，长江存储成立于2016年7月，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业，主要为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。

2014年，长江存储3D NAND闪存项目正式启动；2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

此外，目前长江存储旗下零售存储品牌—致态，旗下产品主要包括固态硬盘、移动固态硬盘及存储卡等，均采用基于晶栈^®Xtacking^®创新架构的长江存储原厂颗粒。