三星电子和SK海力士正在全力推进尖端NAND闪存的投资。尽管此前由于优先发展DRAM而推迟了这些投资，但据报道，他们目前正在制定具体的投资计划。这被视为应对人工智能产业驱动下NAND市场快速增长需求的战略。
据业内人士2月2日透露，三星电子和SK海力士计划于今年第二季度启动尖端NAND闪存的转换投资。
三星电子于2024年9月开始量产280层V9（第九代）NAND闪存。然而，产能仍然非常有限，预计每月约为15,000张。这是由于三星电子当时位于平泽园区的首条量产生产线，由于市场需求不足，最初仅能维持一条生产线的产能。
然而，三星电子计划于今年第二季度开始投资扩建V9 NAND闪存产能。扩建基地将设在西安的X2生产线。目前，该生产线正在量产第六代和第七代NAND闪存。相邻的X1生产线已基本完成向第八代NAND闪存的转换。
预计此次转换投资将达到每月4万至5万片晶圆。考虑到设备投资的时间安排，V9 NAND闪存预计将于明年开始进入产能爬坡阶段。
一位半导体行业内部人士表示：“三星电子最初计划在第一季度在西安X2生产线完成V9 NAND闪存的转换，但计划有所推迟，现在将在第二季度开始。” “平泽园区1号（P1）也正在筹备V9 NAND转换投资，因此明年产品产量占比有望大幅提升。”
SK海力士还计划在第二季度对其321层第九代NAND进行转换投资。主要目标是确保其位于清州的M15工厂在第二季度实现每月约3万片V9晶圆的产能。考虑到目前NAND的月产能约为2万片晶圆，这是一笔数额巨大的投资。
一位业内人士解释说：“三星电子和SK海力士都在计划进行产能转换投资，以应对市场对尖端NAND闪存的预期增长。虽然两家公司的工厂投资策略此前都只专注于DRAM，但NAND闪存也正迅速面临短缺。”
