近期，碳化硅特种芯片及系统解决方案提供商谱析光晶已相继完成了超亿元B轮和pre-B轮融资，由路遥资本（余杭金控）、爱杭基金领投，嘉新创禾芯、智远投资、中芯熙诚（中芯国际）等。本轮融资将主要用于加速创新产品研发、产能扩建及市场推广。

图源：36氪

谱析光晶成立于2020年3月，由清华大学电子系四位本科同班同学联合创立，专注于碳化硅特种芯片、模块及电源系统的研发与生产。公司以“超高温、小型化、高可靠、高效率”为技术核心，产品主要应用于能源勘探、航天军工、光伏储能及电动汽车等领域，填补了国内耐200℃以上高温芯片和高温系统的空白。

当前，全球碳化硅行业在极端环境应用场景需求激增。以能源勘探为例，超深井钻探深度超6000米时，井下温度可达200℃以上，传统硅基芯片受限于耐温性（最高175℃）及体积效率，难以满足需求。几家国际巨头长期垄断高温电源市场，而国内企业多聚焦中低端领域，高端特种芯片国产化率近乎为零，存在技术门槛高、供应链依赖进口、成本高昂等痛点。

针对这一市场空白，谱析光晶自主研发了耐温达230℃的碳化硅芯片及系统，通过高温补偿电路、异基底封装、LLC谐振软开关等技术，解决了传统芯片在极端环境下的温漂、寄生参数过大、温漂严重等难题。其石油勘探用高温功率系统已实现国产替代，单价从数万至百万元不等，材料毛利率甚至超85%。此外，公司为航天院所的霍尔推进器提供抗辐照电源模块，并切入光伏储能、电动汽车领域，推出体积缩小一半以上的碳化硅电控系统，功率密度提升至267kW/L。

目前，谱析光晶已具备SiC SBD和650V-1700V SiC MOSFET的量产能力。在SiC模块和系统层面，其采用的异基底-整合集成封装工艺有效打破了SiC MOS芯片的寄生电感电容限制，使得产品具备高度小型化、轻量化等显著特点。

项目方面，2024年2月，谱析光晶在杭州市萧山区瓜沥镇签约了“年产10万台第三代半导体芯片与系统生产基地项目”，计划总投资1亿元。该项目目前正稳步推进，预计达产后年产值可达2亿元，并贡献1000万元的税收。

来源：硬氪等

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