SK海力士正在加速努力，以加强其领先的10nm级第六代（1c）DRAM工艺的竞争力。该工艺的极紫外（EUV）设备投资已从原计划扩大约三倍。
据业内人士透露，SK海力士正专注于推进1c DRAM技术，该技术将应用于其第七代高带宽存储器（HBM）HBM4E的核心芯片，样品交付目标定在本年度。由于HBM的最大客户NVIDIA计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士正面临加快开发速度的压力。
此前，SK海力士曾将其现有的1b DRAM工艺应用于HBM3E和HBM4，同时优先将1c工艺用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等大宗DRAM产品。这种策略旨在同时确保HBM开发的稳定性以及领先工艺的参考。最近，随着1c DRAM良率改善，该公司已扩大其在HBM上的应用范围，并增加相关投资。
SK海力士在2024年8月开发出16Gb DDR5时，宣称获得了1c DRAM工艺技术的“全球首创”称号。转向量产后，遇到了良率提升的挑战，但该工艺相对较快地进入了稳定阶段。
一位业内人士表示：“去年7月时，即使是大宗DRAM而非仅限于HBM，良率也未达预期，因此成立了特别工作组（TF）来应对。此后情况已大幅改善。”据业内人士称，SK海力士的1c DRAM在大宗DRAM上的良率已攀升至80%。
凭借这一技术竞争力，1c DRAM的EUV设备投资也已大幅扩大。SK海力士上个月披露，从ASML购入了价值约12万亿韩元的EUV光刻扫描仪。考虑到该公司今年的总设备投资预计约为20万亿韩元，超过一半已分配至EUV。
上述人士表示：“据我了解，这超过公司原定的EUV扫描仪交付计划三倍以上。”
SK海力士采购的设备是ASML最新的EUV扫描仪型号，预计采购量约为20台。该合同似乎不包括高数值孔径（High-NA）设备。高NA EUV是一种下一代系统，能够实现比传统EUV更精细的电路图案化，每台价格约5000亿韩元。鉴于披露中提到的设备交付截止日期为2027年，而高NA尚未进入商业化阶段，其大规模采用的时间表似乎过于紧迫。
EUV扫描仪价格通常在3000-4000亿韩元范围内，但此次合同预计以更高价格成交。分析认为，由于生产力提升，最新型号的价格更高。
此外，还有观察指出，SK海力士支付了15-20%的“加急费”以加速设备交付。该公司预计将于2027年底从ASML收到EUV扫描仪的最终交付——相比2021年以五年合同采购价值约5万亿韩元同类设备的时间表，这是一个显著压缩的周期。然而，该公司的立场是“该合同以与整个行业类似水平签订，没有特殊差异”。
SK海力士计划将EUV扫描仪部署到正在进行1c DRAM工艺转换的生产线，包括清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的第一座工厂。
此外，1c DRAM的EUV应用层数正从1a DRAM的一层和1b DRAM的四层扩展至五层或更多。竞争对手三星电子最初曾考虑为1c DRAM应用多达8-9层，但考虑到成本负担等因素，已调整至类似水平。
与此同时，SK海力士通过此次投资也在加速1c DRAM产能扩张。该公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，到年底产能预计达到每月约19万片晶圆。
