2026年4月，博世宣布研发出第三代碳化硅（SiC）芯片，并开始交付样品。与前代产品相比，该芯片性能提升20%，尺寸更小。同时，博世也在加强其制造能力，斥资数十亿欧元用于升级其位于德国和美国的生产设施。
与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体具有更高的开关效率，从而降低能量损耗。因此，它们被认为是延长电动汽车续航里程的重要器件。
博世于2021年开始生产第一代碳化硅（SiC）半导体，至今已在全球范围内出货超过6000万颗。该公司的优势在于其专有的蚀刻工艺，即“博世工艺”，该工艺能够高精度地形成垂直结构。这项技术有助于芯片的小型化和性能提升。
第三代碳化硅芯片也采用了这些技术，进一步提升性能并缩小芯片尺寸。因此，单片晶圆的芯片良率得以提高，从而提升成本效益。
博世在开发新产品的同时，也扩大了其生产能力。在其位于德国罗伊特林根的晶圆制造工厂，该公司正在使用200毫米晶圆开发和生产第三代碳化硅（SiC）芯片。2025年初，博世收购了位于美国罗斯维尔的第二家碳化硅半导体制造工厂，并追加投资19亿欧元用于安装必要的生产设备。该公司计划于2026年交付首批碳化硅半导体产品，并在中期内计划将其碳化硅功率半导体产能扩大至数亿颗。
