CoolSiC™栅极氧化层可靠性深度解析

英飞凌工业半导体 2025-07-17 17:39

英飞凌CoolSiC™ MOSFET栅极氧化层可靠性揭秘!本视频详细介绍了碳化硅栅极氧化层如何通过独特设计防止失效,并确保卓越可靠性。采用沟槽栅MOSFET与较厚栅极氧化层,英飞凌成功实现高效缺陷筛选,故障率远低于传统硅技术。


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