韩国投22.3亿元攻关下一代功率半导体

近期，据外媒报道，韩国政府已正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币），专项攻关下一代功率半导体技术。

功率半导体在AI数据中心中扮演着关键角色，能够提供稳定的供电网络、提高能源利用效率、降低电力损耗，从而支撑高密度AI设备的稳定运行。其应用范围远不止于此，还广泛覆盖能源系统、电动汽车、工业机器人和航空航天等领域。当前最受关注的先进功率半导体材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），相比传统硅基半导体，这两种材料具备耐高温能力更强、能耗更低、转换效率更高等突出优势。

据悉，韩国政府重点鼓励和引导本土功率半导体企业参与，意在构建完整的产业生态体系。若计划顺利推进，韩国的功率半导体产业有望实现显著发展。

近年来，韩国在功率半导体领域发展迅速，政府与企业的协同投入正推动其从传统存储芯片优势向多元化半导体产业转型。韩国政府已将功率半导体提升至国家战略基础设施的高度，明确提出到2030年将功率半导体技术自主率从10%提升至20%，降低对进口的依赖。在技术研发路线图上，韩国明确以碳化硅和氮化镓为核心方向，覆盖材料、工艺、设计及代工全产业链。

在企业布局与产能建设方面，三星电子计划于2026年第三季度生产碳化硅功率半导体样品，聚焦车规级和工业级应用，未来将拓展至沟槽型碳化硅MOSFET及功率模块产品。PowerMaster作为韩国知名的功率IDM企业，拥有硅8英寸和碳化硅6英寸晶圆厂，已实现1200V碳化硅MOSFET的量产，产品广泛应用于电动汽车、工业电源等领域。

在产业链完善与技术突破方面，韩国STI公司自主研发了碳化硅PVT生长炉，实现5N级碳化硅锭粉的本地化供应；SK Siltron通过收购杜邦碳化硅晶圆事业部，强化了衬底供应能力。在外延与器件制造环节，Arché、LX Semicon等企业已实现碳化硅外延片的量产，Trinno Technology等公司积极开发碳化硅JBS和碳化硅MOSFET技术，推动韩国本土技术自主化。

在市场应用与竞争态势方面，韩国现代汽车、三星电子等企业正积极应用碳化硅技术，推动电动汽车、数据中心、工业电源等领域的功率半导体需求增长。尽管韩国在功率半导体领域取得了积极进展，但在全球专利布局和市场份额上仍落后于英飞凌、意法半导体等国际巨头，需进一步加强技术创新和知识产权积累。总体来看，韩国通过政策引导、企业协同和产业链整合，正加速构建功率半导体产业生态，未来有望在全球市场中占据重要地位。