英特尔与联电合作开发3纳米芯片

据 FundaAI 的一份报告显示，芯片制造巨头英特尔已与中国台湾第二大晶圆代工厂联华电子（简称“联电”，UMC）达成合作，共同开发先进制造工艺技术。在首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）的带领下，英特尔正试图在晶圆代工行业与台积电（TSMC）一决高下。报告细节表明，联电之所以寻求与英特尔联手，是为了在不投入巨额资金购买设备的情况下，在先进芯片制造领域占据一席之地。

虽然在提及中国台湾的晶圆代工厂时，大部分焦点都集中在台积电身上，但该地区第二大芯片制造商联电在这一领域也发挥着关键作用。联电不仅是中国台湾第一家晶圆代工公司，还主要基于成熟工艺节点制造产品。这些产品被广泛应用于各种工业及其他应用领域。

现在，联电似乎有意进军前沿的半导体制造领域。根据 FundaAI 的报告，这家台湾企业正与英特尔合作，共同制造 12 纳米和 3 纳米工艺技术的芯片。预计生产将在英特尔位于亚利桑那州的工厂进行。

早在2024 年 1 月 25 日，英特尔与联电联合宣布达成长期战略合作，共同开发 12 纳米 FinFET 工艺平台，生产基地锁定在英特尔位于美国亚利桑那州的 Ocotillo 园区（包含 Fab 12、22 和 32 厂）。2026年初，英特尔完成了将联合 12 纳米 FinFET 平台相关的工艺技术向联电的转移。

2026年5月，联电共同总经理王石在股东大会上证实，该项目进展顺利，目前正在英特尔美国亚利桑那州工厂进行生产验证。双方计划在今年（2026年）年底前，彻底完成厂区的工艺验证工作。预期2027年在完成验证并交付第一批设计套件给客户后，该 12 纳米工艺预计于 2027 年正式投入大规模量产并开始贡献营收。

具体细节显示，两家公司在 12nm 工艺节点上的合作将诞生应用于物联网（IoT）、WiFi 部门及其他行业的产品。此外，该合作进展迅速，首批设计套件预计将于今年交付给客户，以促成明年年初的产品流片（tape-outs），并于 2027 年底实现量产。

在半导体制造中，工艺设计套件（简称 PDK）是晶圆厂向客户提供的一套设计规则。这些规则可以帮助客户设计自己的产品，最终的设计会作为流片过程的一部分发回给晶圆厂。

至关重要的一点是，报告还声称英特尔和联电将在 3nm 制造工艺节点上进行合作。该交易的具体细节将效仿 12nm 的协议，允许联电进入前沿芯片制造领域，而无需激进地投资制造设备。

更关键的是，报告指出两家公司的目标是合作开发出一种等同于台积电产品的 3nm 节点，从而使英特尔在全球代工市场中赢取更大的份额。

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