行芯τ-Aware Signoff:守护每一颗τ芯片流片成功

行芯科技 2026-07-03 19:07

2026年7月2日,由EDA²主办的「韬(τ)EDA工具链专题研讨会」在上海张江成功举办。行芯科技董事长兼总经理贺青博士受邀作为本次研讨会主持人,在题为《τ-Aware Signoff——韬定律落地的EDA基石》的演讲过程中分享守护每一颗τ芯片流片的Signoff EDA过程经验与独道见解。

“τ-Aware Signoff是τ芯片稳定量产的第一性原理保障。”


2026年5华为半导体总裁何庭波女士在ISCAS提出韬定律:将后摩尔时代优化目标从”空间缩放”转向”时间缩放”,以时间常数τ作为跨层统一优化目标。τ涵盖晶体管层、电路层、芯片层和系统层,为芯片设计提供全新的优化语言。

关键要点

在签核层面,“τ = RC” 是支撑整个框架的第一性原理——信号网络与电源网络的可持续签核,本质是将几何尺度问题转化为时间维度问题后必须兑现的物理根基。没有精确的RC提取和可靠的电源签核,韬定律就缺少可测量、可验证的工程抓手。



01

τ-Aware Signoff 技术下的核心挑战

3D逻辑折叠给传统签核带来根本性挑战:



RC寄生提取:精度难以保障

逻辑折叠依靠HB混合键合实现双层硅片互联,Die间HB耦合、TSV纵向电流彻底改变原有电容、电阻分布;多工艺堆叠形成混合RC网络,行业缺少成熟跨Die寄生提取方法。



时序收敛:垂直架构放大时序收敛压力

3D关键路径跨多层硅片,层间工艺变异带来RC散布;STA仿真Corner从数百级暴涨至数万级,跨层时钟树路径分散、时钟偏差加剧,时序窗口持续收紧。



电源完整性:跨层输电诱发多层供电失效

供电网络由单层平面配电升级为多层立体输电,数千万HB+TSV构成超长电流路径,上层远端Die压降严重;堆叠提升功率密度,电流与温度同步走高,电迁移风险陡增。



功耗平衡:性能提升伴随功耗反噬τ收益

逻辑折叠缩短时延、提升性能,但整体功耗同步上涨。若电源、时序、功耗验证流程割裂,无法统一基于τ数据协同评估,芯片只能通过降频控制功耗,直接抵消时间缩放带来的全部性能优势,违背韬定律”缩时间”核心诉求。



热电耦合:电热形成恶性循环

面对面键合压缩横向散热通道,局部热点集中;温升推高电阻R、恶化τ时延,时延变差又迫使驱动电流加大,进一步加剧发热。

行芯τ-Aware Signoff:守护每一颗τ芯片流片成功图1


02

两大核心支点

GloryEX+GloryBolt,双向守护τ最优解

行芯打造 GloryEX、GloryBolt 两大自主 EDA 产品谱系,分别锚定 τ 收益挖掘、τ 稳定性保障两大核心维度,完成从 2D 到 3D 原生签核范式的体系化跃迁:




GloryEX

RC 寄生提取,夯实 τ 量化的物理根基

全栈架构专为逻辑折叠场景定制优化,从底层数据结构、并行计算策略到场求解器、网表输出全链路重构。 面对千万级 HB+TSV 互连网络,在超大规模 3D 芯片设计中,同时满足极致 RC 提取精度与工程交付效率,精准计算 τ=RC 底层物理参数,释放 3D 逻辑折叠带来的性能红利。



GloryBolt

EM/IR电源可靠性签核,构筑τ稳定运行屏障

聚焦 3D 垂直堆叠全局供电可靠性,解决多层堆叠远端 Die 压降、电迁移核心痛点。 依托无规模上限的弹性签核架构,完成 IR-Drop、EM 电热耦合闭环验证,规避高温、大电流带来的 R 值恶化,从供电底层约束 τ 波动,保障 3D 芯片长期稳定运行。


03

两大演进方向

耦合签核常态化 + 签核全面左移

韬定律工程实践明确下一代 EDA 签核技术两条不可逆演进路径:

第一,多物理场耦合签核常态化。当前流程割裂带来迭代低效与多层级计算误差。未来行业将实现多维度验证深度耦合,同步联动寄生、时序、功耗、温度物理量开展一体化协同求解,统一管控全链路 τ 指标。

第二,验证流程持续左移。在逻辑折叠、电源规划初期嵌入 τ 约束,提前完成 PG 布线、TSV 排布、金属切割方案评估,在设计源头规避 RC 与时序缺陷,大幅降低中后期迭代修复成本。

行芯τ-Aware Signoff:守护每一颗τ芯片流片成功图2


04

一τ(道)同频,全链共振

共建EDA τ生态

τ-Aware Signoff是韬定律落地量产的核心保障工具。在后摩尔时代产业变革周期下,单一企业无法独立完成时间缩放范式的系统性转型。行芯将持续迭代τ-Aware Signoff技术,与产业链各方深度协同,共同构建适配本土先进集成路线的EDA全新技术范式,夯实我国先进芯片设计自主可控底层工具支撑体系。

行芯τ-Aware Signoff:守护每一颗τ芯片流片成功图3

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