美国商务部长霍华德·鲁特尼克敦促三星电子（股价上涨7000韩元，涨幅2.52%）和SK海力士（股价下跌6000韩元，跌幅0.27%）扩大在美国的存储半导体生产规模。
据彭博社7月9日（当地时间）报道，鲁特尼克部长在出席美光科技位于纽约州克莱敦的在建半导体制造厂（晶圆厂）的混凝土浇筑仪式时发表了上述讲话。他还表示，正在与三星电子和SK海力士就此事进行磋商，但未透露具体细节。
尽管鲁特尼克部长承认美光科技可能不会欢迎韩国存储半导体公司在美国扩大业务，但他表示：“我希望将竞争对手三星电子和SK海力士引入美国，建立生产设施。” 他补充道：“既然美光科技率先行动，其他公司就会心生嫉妒，最终也会效仿。” 他说：“这一定会发生。” 他还表示：“我们将保护那些投资美国优秀企业和知识产权的人。” 此前，美国总统唐纳德·特朗普曾表示，他将确保在其任期结束前，全球40%的半导体产品产自美国。
彭博社指出，“鲁特尼克部长发表上述言论之际，正值SK海力士即将在纳斯达克上市，旨在筹集资金扩大产能。” SK海力士的美国存托凭证（ADR）将于10日在纽约证券交易所上市。
此次发行价为每股149美元（约合22.5万韩元）。该价格较根据SK海力士在韩国综合股价指数（KOSPI）上的普通股价格（截至9日为每股218.6万韩元）按ADR标准计算的价格高出约2.9%，汇率为1,509.9韩元。发行价最终确定为每股149美元，SK海力士预计将通过此次ADR上市筹集269亿美元（约合50.5141万亿韩元）。这标志着纽约证券交易所历史上规模最大的外国公司上市，超过了中国阿里巴巴在2014年上市时筹集的250亿美元。
美光今日宣布，到2035年，其在美国半导体制造工厂和技术方面的投资将超过2500亿美元（375万亿韩元）。该投资计划包括目前正在纽约州克莱敦建设的半导体制造工厂的投资成本，以及在爱达荷州和弗吉尼亚州等州的制造工厂的扩建成本。美光解释说：“这项投资的目标是实现40%的DRAM在美国本土生产。”
美光科技宣布计划追加投资至多30亿美元（约合4.5万亿韩元），以加强其在美国的半导体供应链生态系统。其中5亿美元将用于支持GlobalWafers位于德克萨斯州的晶圆制造工厂扩建，双方已签署一份为期10年的长期供货合同。美光科技最初计划在美国投资1700亿美元，但在去年6月特朗普政府就职后，为应对高带宽内存（HBM）需求的激增，将投资额提高至2000亿美元，如今又追加了500亿美元。当天，其位于纽约州克莱顿的制造工厂也进行了首次混凝土浇筑，比原计划提前了超过四分之一。业内分析人士认为，此举是美光科技为应对竞争对手SK海力士在纳斯达克上市而采取的战略举措。
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