东科推出 DK8020AP 合封氮化镓芯片

充电头网 2026-07-22 18:51
充电头网近期了解到,东科半导体推出DK8020AP合封氮化镓电源管理芯片。
该芯片面向20W功率段,将准谐振反激控制器、驱动电路与700V GaN HEMT合封于单颗芯片中,可减少外围器件数量,简化电源设计,适用于快充充电器、小型适配器及辅助电源等应用。

东科半导体DK8020AP合封氮化镓芯片

东科推出 DK8020AP 合封氮化镓芯片图1
东科半导体DK8020AP是一款电流模式准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片,内部集成700V GaN HEMT、控制电路和驱动电路。
DK8020AP属于反激式合封氮化镓芯片,可将传统方案中的控制器、驱动器和氮化镓功率器件整合到一颗芯片中,降低外围电路复杂度及系统设计成本。
DK8020AP支持85-264Vac宽范围输入,输出功率为20W,采用ESOP-7封装。其内部700V GaN HEMT连续漏极电流为1.6A,典型导通电阻为1.2Ω,可满足20W快充及适配器产品的功率转换需求。
东科推出 DK8020AP 合封氮化镓芯片图2
在工作过程中,DK8020AP通过辅助绕组检测变压器退磁状态,并在GaN HEMT漏极电压振荡至谷底时开启功率管,从而降低开通损耗并改善电磁干扰。芯片最高支持200kHz开关频率,并集成谷底检测、谷底锁定、退磁检测和抖频等功能,有助于兼顾转换效率、输出纹波及EMI表现。
针对轻载及空载工况,DK8020AP支持变频和间歇工作模式,待机功耗低于50mW。同时,芯片将最低工作频率钳位在25kHz以上,可减少电源进入可闻噪声频段的情况,改善轻载效率和使用体验。
DK8020AP还内置高低压输入功率补偿电路,可减小不同输入电压对最大输出功率的影响,使产品在高、低压电网下保持相对一致的输出能力。
该芯片支持输出过压、输出过流、过载、短路、开环、VCC过欠压、输入过欠压及过温保护,为电源系统稳定运行提供保障。

充电头网总结

东科半导体DK8020AP将准谐振反激控制、驱动电路与700V GaN HEMT集成在一颗芯片内,进一步简化了20W电源的外围设计。配合谷底开通、谷底锁定、抖频和轻载控制等功能,可用于20W快充充电器、小型适配器及墙壁快充面板等产品。
目前,DK8020AP已经在终端产品中实现应用。充电头网拆解FDD国际电工20W拉拉线氮化镓快充86面板时发现,其开关电源初级采用东科DK8020AP,并搭配东科同步整流芯片组成高集成电源方案。
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