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7月22日有消息传来，据相关报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备领域取得了重大进展，其首条实现全国产化的产线预计于2025年下半年导入试产。
自2022年底被美国商务部列入实体清单后，长江存储并未停下发展的脚步，而是积极推进产能扩张计划。公司计划在2025年达成每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并朝着到2026年底占据全球NAND闪存供应量15%的目标奋力前行。目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%。值得一提的是，公司已开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4 - 9070），该芯片通过堆叠两层实现了总共294层的结构。
在产品规划方面，长江存储有着清晰的路线图。其产品涵盖一款1TB的TLC设备、计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4 - 6080，以及一款2TB的TLC X5 - 9080。未来几代产品预计将通过堆叠三层，构建超过300层的结构，以此提高每片晶圆的比特数，不过这可能会在一定程度上牺牲吞吐量。
为降低对外国设备的依赖，长江存储计划在2025年下半年启动一条完全采用国产工具的试验线。分析师指出，若试验取得成功，最终有望使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%。但他们也提醒，该设施具有实验性质，实现大规模生产仍需时间。
TechInsights的报告表明，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上已与市场领先者不相上下。然而，由于中国在极紫外光刻（EUV）等关键领域仍存在差距，长江存储的持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。
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