英特尔：14A是22nm后最好的工艺

随着缺陷密度的下降，英特尔对其 14A（1.4 纳米级）制造工艺的信心日益增强。英特尔首席财务官大卫·津斯纳在德意志银行 2026 年技术大会上表示，公司内部的设计团队正在开发采用该技术的产品，而外部客户也开始询问英特尔能够提供的 14A 芯片的产量。津斯纳甚至表示，14A 是自 2010 年代 22 纳米技术以来英特尔最好的工艺。但尽管这一评价乐观，也存在一些需要注意的地方。

“从缺陷密度来看，14A 的表现优于我们为 14A 设定的目标曲线，”Zinsner 在德意志银行 2026 年技术大会上表示。“在降低缺陷速度方面，它也优于以往任何节点。事实上，自 22nm 工艺以来，我们从未见过如此出色的性能，而 22nm 工艺可以说是英特尔迄今为止推出的最佳节点之一。”

英特尔计划于2027年下半年开始基于14A工艺进行自有产品的风险生产，并于2028年启动大规模量产，因此14A距离量产还有两年时间。英特尔首席财务官在会议上表示，就14A目前的研发阶段而言，其缺陷率降低的趋势至少与该公司极其成功的22nm工艺在类似研发阶段（即2010年）的趋势一样稳健。然而，这种说法存在一些问题。首先，14A目前的缺陷密度并不一定等同于两年后22nm工艺量产时的缺陷密度。其次，由于晶圆加工和检测设备的进步，英特尔现在所认定的缺陷可能与16年前所认定的缺陷有所不同。此外，缺陷密度本身并不直接等同于产品良率。

英特尔的 22 纳米工艺是该公司首个采用 FinFET 晶体管的制造工艺，在当时是全球最先进的工艺技术；而其他厂商直到 2014 年和 2015 年才在其 14 纳米和 16 纳米节点上转向 FinFET 器件。相比之下，14A 将采用第二代环栅 (GAA) RibbonFET 晶体管、第二代背面供电技术 PowerDirect，并且由于其极其复杂的图形化工艺，能够使用高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻技术。考虑到所有这些因素，英特尔声称 14A 的缺陷密度降低工作在量产前就取得了异常良好的进展，这无疑是个好消息。

与此同时，将 14A 与 22nm 的后续工艺进行比较，对英特尔来说应该会感到相当欣慰，因为 14nm 的量产由于良率不足而推迟了一年，第一代 10nm 节点失败了，20A 被取消了，18A 即使达到了 HVM 里程碑，缺陷密度仍然很高，而该公司几乎没有分享任何关于其 Intel 4 和 Intel 3 节点进展的信息。

不过，14A 工艺也展现出一些积极的迹象：外部客户已经开始为该工艺节点开发产品，而且他们对 14A 的兴趣也从理论转向了实际应用。

 “我们现在看到内部客户对 14A 的需求，而他们可能是所有人中最持怀疑态度的一群人，”Zinsner 说。“他们现在开始为 14A 设计产品，这对我们来说也是一个很大的信心提升。此外，从代工厂的角度来看，与外部客户的互动也显著增加。Lip-Bu 和他的团队现在每周都会与客户会面。他们不再仅仅关注数据，而是开始思考‘我能获得多少产能？’‘供应情况如何？’因此，我们现在对外部客户对 14A 的需求也充满信心。”

英特尔于2011年末至2012年初开始量产基于22纳米工艺的Ivy Bridge处理器，并于2012年4月下旬正式上市。该产品取得了巨大成功（尽管由于芯片与集成散热器之间导热界面材料的效率低下，超频玩家对其并不满意），22纳米制程技术也为英特尔服务多年，最初用于2012年至2016年的CPU，之后又应用于其他产品。英特尔的14A制程工艺也有望成为英特尔长期使用的制程节点。