三星电子公布了其第十代V-NAND闪存“V10 BV-NAND”的详细技术信息，该产品采用超过400层堆叠结构。该产品在降低功耗的同时，提高了比特密度（数据单位）和数据处理速度。
8月31日，三星电子通过其半导体新闻中心介绍了V10 BV-NAND的研发背景和关键技术。V10于本月在美国举行的“FMS 2026”展会上亮相，并荣获“3D & NAND创新奖”。
V10是第十代V-NAND闪存，采用超过400字线（WL）的堆叠结构。比特密度（指单位面积内可存储的数据量）相比上一代产品 V9 提升了 58% 以上。
数据输入/输出 (I/O) 速度超过 4.8 Gbps，比 V9 快 33% 以上。与此同时，功耗降低了 25% 以上。
随着人工智能数据中心需要处理的数据量激增，速度和能效（以及存储容量）的重要性日益凸显，此次升级正是为了应对这一挑战。
实现400层以上NAND闪存的关键在于“三层堆叠高纵横比（HARC）融合”技术。该技术并非一次性堆叠400多层闪存单元，而是将单元分成三个堆叠部分，分别制造每个部分，然后垂直连接。随着NAND闪存层数的增加，均匀钻出深而窄的孔变得越来越困难，导致工艺步骤增加，制造成本上升。
三星电子通过在其三层堆叠工艺中应用多孔和零虚拟孔技术，降低了这些工艺负担。
闪存开发办公室的产品负责人郑大云表示：“在实现超过400层的超高层V-NAND时，我们必须同时应对工艺步骤增加、制造成本上升以及工艺难度提升等问题。” 他补充道：“我们通过HARC合并、多孔和零虚拟孔技术，实现了高集成度和高制造效率。”
此外，还采用了半导体晶圆键合技术。该方法将数据存储单元和控制它们的周边电路分别制造在不同的晶圆上，然后垂直贴合。由于可以分别优化存储单元和周边电路，因此有利于提升周边电路性能并减小芯片面积。三星电子还改进了外围电路的晶体管特性和信号传输结构，实现了超过 4.8Gbps 的 I/O 速度。
基于 V10，三星电子计划支持容量高达 128TB 的超大容量 SSD 以及下一代 PCIe 7.0 SSD 的部署。
“V10 是一款为满足人工智能时代对高性能、大容量和低功耗存储的需求而开发的产品，”产品企划团队负责人申智妍 (Shin Ji-yeon) 表示，“它可以支持 128TB 超大容量 SSD 和下一代 PCIe 7.0 SSD 的部署。”
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