用于人工智能 (AI) 加速器的高带宽内存 (HBM) 和 DRAM 的价格飙升，表明即使是占据全球内存半导体市场约 70% 份额的三星电子和 SK 海力士也无法应对激增的市场需求。
据韩国国际贸易协会31日发布的数据显示，用于制造人工智能芯片（例如HBM和低功耗双倍数据速率（LPDDR）芯片）的DRAM（动态随机存取存储器）出口量从5月份的约6.817亿片下降13.2%至7月份的5.9174亿片。然而，同期DRAM出口总额增长18.5%，从114.2837亿美元增至135.5155亿美元，出口单价也大幅上涨36.6%，从每片16.76美元增至22.9美元。
随着HBM4向英伟达等大型科技客户的供应量增加，DRAM需求也随之增长，导致价格上涨。此外，由于HBM4尚处于量产初期，其良率低于前代产品HBM3E。这增加了生产所需的DRAM消耗量，进一步加剧了DRAM整体供应短缺的局面。
韩国半导体产业协会执行董事安基铉解释说：“HBM的特性是，随着版本升级，良率会下降。由于HBM4的价格大约是其前代产品的两倍，随着存储器公司扩大生产，DRAM的投入量也会增加，最终导致整体出口量下降。”
尤其值得注意的是，三星电子和SK海力士销售结构向长期协议（LTA）的转变，也加剧了现货市场的供应短缺。据业内人士透露，三星电子的存储器业务部门已将其约70%的产能分配给LTA订单，这些订单将持续供应至2031年。主要合同合作伙伴包括英伟达、微软和谷歌等全球大型科技公司。
然而，HBM内存的竞争异常激烈，即使是大型科技公司也无法获得全部合同订单，导致现货价格进一步飙升。据内存市场研究公司MegaGridSupplies的数据显示，36GB HBM3E产品的价格为2100美元（约合287万韩元）。这意味着现货价格是长期供货合同价格的四到五倍，后者通常约为50万至70万韩元。目前正在协调量产的16层HBM4产品，如果从现货市场而非通过长期供货合同（LTA）购买，价格则高达3500美元（约合480万韩元）。
由于存储器供应短缺问题短期内难以解决，三星电子和SK海力士正通过多种方式扩大产能。三星电子半导体事业部（DS）的高管正在考虑最早于明年将平泽园区唯一的晶圆代工生产线S5改造成存储器生产生产线。
据报道，SK海力士在扩大其位于龙仁和湖南地区的生产基地后，正在考虑与一家日本公司成立当地合资企业。业界关注的焦点是，SK海力士可能通过加强与日本最大的NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）的合作，来扩大其在全球存储器供应链中的影响力。SK海力士是铠侠的实际最大股东。
受内存短缺加剧的影响，价格上涨趋势预计将推动三星电子和SK海力士的盈利飙升。金融投资界预计，这两家公司将在第三季度再次打破历史盈利纪录。
根据过去一个月的市场预期，三星电子第三季度营收预计将达到206.6376万亿韩元，营业利润预计将达到116.379万亿韩元，显著高于第二季度（营收171.4995万亿韩元，营业利润89.4924万亿韩元）。值得注意的是，营业利润突破100万亿韩元大关不仅是韩国企业的一个历史性里程碑，也是全球大型科技公司中的首例。
SK海力士预计第三季度营收为101.7573万亿韩元，比上一季度增长28.2%；营业利润为79.1565万亿韩元，增长30.7%。
执行董事安表示：“必须建造更多生产工厂来解决半导体供应短缺问题。”他补充说：“即使计划中的新工厂投入运营，短缺问题也不会得到解决，而只能得到缓解。”
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