
【内容目录】
一、先看它拿掉了什么
二、为什么瓶颈在吐字,及英伟达为什么把吐字环节再切一刀
三、代价:热的那一层只有128GB
四、便宜内存为什么连续失势
五、它押的SRAM,恰恰是最不肯缩的那种电路
六、三道坎,六家A 股公司
七、成立的前提,与还没有答案的部分
附:参考来源
2026 年 8 月 24 日,英伟达宣布 Groq 3 LPX 进入量产。这台机柜的来历不寻常,2025 年圣诞前夜,英伟达花约 200 亿美元买下 AI 推理芯片公司 Groq 的大部分芯片资产,并取得其推理技术的非独家授权,创始团队一并加入(CNBC)。
这台机柜落在路线图上的位置也不寻常。今年 3 月的 GTC,公开路线图里少了一颗芯片,半年前才发布的 Rubin CPX 被拿掉,换上了 Groq 3 LPX。外界把这次换图读成 Groq 交易的直接结果,英伟达没有这样表述过。两者本来也不是同一刀,CPX 打的是预填充,LPX 打的是解码里的权重路径,后面第四节会回到这条线上。
不管怎么读,顶上来的这台机柜有一个很硬的特征,一颗 HBM 都没有。连英伟达都开始躲 HBM,它到底在躲什么?
先划一条边界。LPX 机柜自身不挂 HBM,但这不等于整套推理系统摆脱了 HBM。真正发生的是,解码过程中前馈网络与 MoE 层的权重读取被迁到片上 SRAM,而注意力计算仍留在带 HBM 的 GPU 上。
也就是说,翻查模型知识用极速小内存,回顾上下文用大内存。
英伟达官方还给出另一种配置,由 Rubin 做完预填充、把 KV 缓存交出来,整个解码都放在 LPX 上跑。长上下文、大 KV 的场景更常见的仍是注意力留在 Rubin。
一、先看它拿掉了什么
先交代两个名字。Groq 3 LPU 是芯片,Groq 3 LPX 是由 256 颗 LPU 组成的整柜系统。规格都取自英伟达官网与开发者博客。
单颗 LPU:片上 SRAM 500MB,SRAM 带宽 150 TB/s,96 条芯片间直连链路、每条 112 Gbps,聚合双向互联带宽 2.5 TB/s。芯片由三星代工厂 SF4X 4nm 工艺制造,约 980 亿颗晶体管(工艺与晶体管数出自 Tom's Hardware 与 The Elec)。
一台 LPX 机柜:256 颗 LPU,SRAM 合计 128GB,机柜级 SRAM 带宽 40 PB/s,机柜内直连带宽 640 TB/s,FP8 算力 315 PFLOPS,另配 12 TB DDR5。
作为对照的 Rubin GPU:单卡 HBM4 显存 288GB,带宽 22 TB/s。
三组数摆在一起,最容易被忽略的一项是机柜里那 12 TB DDR5。它说明这套系统并没有取消外挂内存,它只是精准干掉了夹在极速片上缓存(SRAM)与廉价海量存储(DDR5)之间最昂贵的过渡层,HBM。
过去 HBM 一个人干两件事,既给带宽,又给容量。这台机柜把两件事拆开了,带宽交给片上 500MB 的 SRAM,容量交给机柜里 12 TB 的 DDR5,中间那一档 HBM 就没有位置了。一头更快,一头更便宜,被夹掉的是最贵的那一层。

图1|资料来源:英伟达官网产品页与开发者博客。
性能这一侧有第三方数字。按 Artificial Analysis 的测试,在 Gemma 4 31B、10 万 token 超长上下文的极限测试下,LPX 机柜输出约 3,400 token/秒,英伟达称是第二名的 4 倍。
这个 4 倍要打个折扣看。同一条件下排第二的是 Cerebras,882 token/秒,但它最多只用两张 44GB 的 CS-3,而 LPX 这边至少要 64 颗芯片。比的是机柜吞吐,不是单位硅面积的效率。
二、为什么瓶颈在吐字,及英伟达为什么把吐字环节再切一刀
大模型推理分两段。
预填充,把整段提示词一次读进去算完,算力密集,GPU 天生擅长。解码,一个字一个字往外吐,每吐一个字都要把整套权重读一遍,再加上不断变长的 KV 缓存,算的次数不多,但“翻书”翻得极多。瓶颈因此落在内存带宽上,芯片大部分时间不在算,在等数据。
过去十年的答案始终是同一个方向,把外挂内存做得更快,一路堆到 22 TB/s。Groq 这颗芯片换了个方向,把权重直接放在芯片自己身上。
但英伟达最关键、也最狠的一步在于,它并没有把整个解码工作全扔给 LPU。
英伟达给这套方案起名叫 AFD(注意力与前馈层解耦)。用大白话讲就是,它让两颗芯片在吐字时,打起了一场极速的乒乓球。
GPU 搞定预填充并存好上文记忆;到了吐字阶段,GPU 负责算注意力,LPU 负责算前馈网络与 MoE。每生成一个 token,两边就对抽一拍,交换一次中间结果。
分工线为什么画在算子之间?
看一眼两类计算吃什么就明白了。注意力吃的是不断变长的 KV 缓存,前馈层吃的是固定不变的权重。变长的那部分只能放进容量大的 HBM,固定的那部分才有可能整个塞进片上 SRAM。
三、代价:热的那一层只有 128GB
一个 70 亿参数的模型按 FP8 精度存放,光权重就要约 7GB。单颗 LPU 连一个 7B 模型都放不下。
整柜 256 颗凑出来的 SRAM 是 128GB,一整柜的快存,还顶不上一颗 Rubin GPU 自带的 288GB 显存。
机柜里那 12 TB DDR5 能装下更大的模型,但它慢,接的是主机侧与扩展逻辑,不在大模型生成 token 的关键路径上。真正能高速取用的那一层,一整柜只有 128GB。
这就是 AFD 存在的原因。热层装不下整个模型,那就只把权重固定的那部分放进去,其余留在 HBM 上。模型必须被切开,这一步是容量逼出来的。
代价随之出现在通信环节。同一份规格表里的两个数,每颗 LPU 对内的 SRAM 带宽是 150 TB/s,对外的芯片间互联带宽是 2.5 TB/s,差 60 倍。放大到整柜同样成立,40 PB/s 对 640 TB/s,比例不变。
原来卡住的是芯片到显存,这一段被打通之后,卡住的地方变成了芯片到芯片。但这里有两跳网,不能并成一句话说。
第一跳是柜内“拼图网”。单颗只有 500MB,一层专家的权重必须切到 256 颗上,算完再拼回来,走的是每颗对外 2.5 TB/s、整柜互联 640 TB/s 的芯片间直连。
60 倍那段落差解释的是这一跳,权重必须铺满整柜,指望单颗吃下一层是不可能的。
第二跳是柜间“传球网”。GPU 机柜与 LPU 机柜之间的 AFD 交换走的是以太网量级的机柜间互联,比柜内直连更窄。按英伟达开发者博客的说法,这一跳每个完整注意力层才传一次中间张量。
整柜组织解决的是第一跳,第二跳才决定这套系统能不能按 token 的节奏转起来。
至于必须全液冷,那是 256 颗先进制程大芯片的总功耗与功耗密度决定的,和带宽落差是两件事。
既然要付出容量、互联和功耗三重代价,英伟达为什么还是选了这条路?答案藏在 CPX 不到一年的路线变化里。
四、便宜内存为什么连续失势
2025 年 9 月 9 日,英伟达发布 Rubin CPX,单芯片 30 PFLOPS(NVFP4)、128GB GDDR7,定位是面向大规模上下文处理(英伟达官方新闻稿)。它的核心经济性理由是成本:GDDR7 每 GB 的价格不到 HBM 的一半。
2026 年 3 月,GTC 上 CPX 从公开路线图中消失,Groq 3 LPX 顶上。专用硅从便宜的一侧,换到了昂贵的一侧。
2026 年 8 月 24 日,LPX 进入量产。
2026 年 8 月 31 日,天风国际分析师郭明錤的产业链调研称,英伟达重启了 CPX 项目,计划 2027 年一季度量产;新版把 128GB GDDR7 换成了 168GB HBM4,改用独立的 MGX ETL 机架,可按 64 至 256 颗配置,单颗最大功耗 2,300 瓦,与 Rubin 保持 1:1 配比。

图2|资料来源:英伟达官方新闻稿与官方博客;2026 年 8 月 31 日一项为郭明錤产业链调研口径,英伟达未公开确认。
四个时间点连起来,比“CPX 被砍了”要说明更多问题。
CPX 当初立项时最站得住的一条理由是用便宜内存省钱,而重启后的第一个动作就是把便宜内存换掉。同一年里,解码中的 FFN/MoE 侧走向了比 HBM 更贵的片上 SRAM,上下文处理侧则从 GDDR7 退回了 HBM4。
两个方向相反的动作指向同一件事,在高价值、低时延的关键路径上,便宜存储暂时没有位置。
注意:这一条是分析师的产业链调研,英伟达没有公开确认,配置细节仍可能变。
同时,澄清一个常见误区,所谓“绕开 HBM”,真实发生的是存储分了层。HBM 并没有在推理里消失,注意力那一半仍然完全依赖它。
五、它押的 SRAM,恰恰是最不肯缩的那种电路
如果只看片上 SRAM 带宽高,这条路早就该走了。它到今天才成立,难在要凑够足以放下权重的容量。SRAM 几乎不随先进制程等比例缩小。
台积电公开的六管 SRAM 单元面积:N5 约 0.021 平方微米,N3 约 0.0199 平方微米,只小了约 5%,N3E 那一版干脆没有缩小;到 N2 才把高密度 SRAM 做到 38.1 Mb/mm²(N3、N5 数据出自台积电 IEDM 论文,N2 数据出自台积电官网研究页)。同一时期,逻辑电路的密度提升要快得多。
Groq 自己的产品线是最直观的注脚:第一代 LPU 用 14nm 工艺做到 230MB 片上 SRAM,这一代换到三星 4nm,做到 500MB。跨越了多个制程节点,容量只翻了两倍出头。
这 500MB 主要不能靠工艺微缩解决,靠的是面积:980 亿颗晶体管做在同一块接近掩模极限的裸片上,SRAM 与计算单元同片,不做 HBM 那样的 2.5D 堆栈。
这一代的现实收益恰恰在这里,这一段可以不排 CoWoS 的队。
但容量再往上走就不好办了。业界讨论中的下一条路,是把 SRAM 裸片键合到计算裸片上。HBM 的工艺难点是把 DRAM 摞起来再和逻辑接在一起,那条路的难点则是把 SRAM 摞起来再和计算接在一起。
难点没有消失,只是从 DRAM 怎么摞,挪到了 SRAM 怎么做进或键合进逻辑。
这里得说清楚,三维 SRAM 目前是下一代的讨论项,不在这台已量产机柜的工艺清单上。
所以国产替代的机会不在于从此不用先进封装,而在于封装形态有可能从 CoWoS 加 HBM,转向大裸片与三维 SRAM。这个新赛道全世界都还在起步,没有谁形成不可动摇的垄断,国内的代工厂和封测厂在这一块有机会跟上。
六、三道坎,六家 A 股公司
国产 AI 芯片眼下最硬的两处约束,一是 HBM,二是先进封装中的 CoWoS 产能。这条路线的意义不是消灭这两样,而是把解码中的一部分关键路径从 HBM/CoWoS 体系里迁出去:权重放在片上,这一段不必买 HBM 堆栈,也不必去排 CoWoS 的队。注意力那一半仍然留在原来的体系里。换来的是三项新的内部约束:能不能做出掩模级的大芯片、能不能把 SRAM 摞起来、能不能把几百颗芯片连成一台机器。

图3|资料来源:各公司定期报告与公开披露。
下面按三道坎点名六家 A 股公司,标准是在该环节有可核的公开技术表述;长电科技、通富微电、盛科通信三家作为旁证出现在正文里,不进对比表。
坎一,谁来设计这颗芯片。要在单颗芯片上放下几百 MB 的 SRAM、面积逼近掩模极限,还要有一套能把模型按算子切开、把几百颗芯片当成一台机器调度的软件。寒武纪、海光信息、摩尔线程三家都在通用加速卡这条路上,公开材料中都没有单独披露过片上 SRAM 容量。这不代表没做,只代表外部无法核对。
坎二,谁来把这颗大芯片造出来,以及往后谁来把 SRAM 摞起来。掩模级大芯片吃先进逻辑产能,对应中芯国际,关键变量不在总产能,在能否稳定产出接近掩模极限、SRAM 占比极高的大面积裸片,这一项没有公开的良率口径可查。三维集成与键合设备对应拓荆科技,但这是一项相邻能力,不是这台 LPX 当前的工艺,只有当容量下一跳真走到三维 SRAM,它才会进入这条链。再往后的封装厂,长电科技与通富微电上半年归母净利润分别为 8.45 亿元和 17.17 亿元,都在大幅增长,但公开披露中与 SRAM 三维堆叠直接对应的量产表述尚未出现。
坎三,谁来把几百颗连成一台机器。AFD 把最频繁的通信压在芯片之间,互联从配套变成了主角。澜起科技的 PCIe Retimer 与 CXL 解决的是板级与节点内的互连,与机柜内几百颗直连不是同一层,它是这一环上可核的国产存在,离完整答案还有距离。机柜级交换对应以太网交换芯片,盛科通信的 12.8T/25.6T 旗舰芯片支持 800G 端口、已在客户端推广,上半年营收 6.71 亿元、同比增长 32.04%,归母净利 -0.18 亿元,规模与英伟达机柜级互联仍不在同一量级。
下表把六家的位置与最新一期财务放在一起。各家环节不同、口径不同,数据不可相加、不可跨环节互比;未披露不等于未做到。

表里有一处结构性的错位:上半年收入与利润规模居前的几家在芯片设计与晶圆制造两端;而如果容量的下一跳真走三维 SRAM,位置最关键的反倒是当期体量最小的设备端。当期收入反映的是现有产品的销售,这条路线要考的是下一代产品能不能被做出来。
这条路对中国的账因此是这样算的:解码中的一段关键路径被迁出 HBM 与 CoWoS 体系,换来了大裸片良率、往后可能用到的三维 SRAM 堆叠、以及机柜级互联三项内部约束。前两项国内有明确的对应厂商与在建能力,第三项差距最大。窗口是开着的,开的位置在机柜间的系统互联与调度这一层,不是澜起所在的板级 Retimer 那一层。
七、成立的前提,与还没有答案的部分
这条路要走通,有三个前提。一是真的出货,目前可核的只有英伟达 8 月 24 日宣布量产、Nebius 成为首家采用的 AI 云,出货量尚无公开数据。二是账要算得过来,用 256 颗先进制程大芯片换 128GB 热层容量,单位容量的硅成本远高于 HBM,只在高价值、低时延的交互式生成上成立。三是产能要跟得上,这颗芯片由三星代工,黄仁勋的原话是“三星正在尽可能多地生产”,这句话同时说明了需求与供给约束。
三个变量也要留意。掩模级面积加上高频满载的片上存储,功耗密度是另一个量级的问题,整柜全液冷本身就是信号,而这一层没有公开数据;一年之内专用硅先从上下文处理侧换到解码侧、随后上下文处理侧又换了内存,没有理由认为 AFD 这条切法是终点;国内的跟进方式上,迁出 HBM 是这条路的结果,只为迁出而迁出,容易在互联这一侧撞上更硬的墙,而那一侧没有替代方案可选。
回到开头那个问题:连英伟达都开始躲 HBM,它在躲什么?
第一层的答案是,它躲的不是 HBM,是解码中权重读取路径上的带宽饥饿。HBM 已经做到 22 TB/s,仍然喂不饱一个字一个字往外吐的过程,英伟达这次开始系统性地把这段权重搬进芯片自己身上。
第二层的答案是,这一躲并没有躲掉什么,只是换了个地方还账。热层只有 128GB,模型必须按算子切开;每生成一个 token 就要在芯片之间交换一次张量,而芯片对外的带宽只有对内的六十分之一;SRAM 不随制程等比例缩小,容量只能靠掩模级面积和三维堆叠去堆。
内存墙没有被推倒,它被从房子外面挪到了房子中间。
往后值得盯的是三个可观察的信号:芯片公司是否披露片上 SRAM 容量;制造、封装与设备公司是否披露三维堆叠的量产状态与良率;系统或互联公司是否披露机柜级的带宽、时延与规模。三个都还没出现之前,这条路在国内还只是一个方向。
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