数据中心VPD (垂直供电)-->高效率&功率密度

旺材芯片 2026-09-07 17:25






数据中心VPD (垂直供电)-->高效率&功率密度图1

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本文根据Google 在2026 OCP APAC Summit 上的演讲
“A Backside Vertical Power Architecture to Enable High Efficiency,
High Density LGA Socket CPU”总结。
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1. 摘要

一种面向高性能 xPU / Intel Xeon 平台的背面垂直供电(Vertical Power

Delivery, VPD)架构,核心思路是借助成熟的低压(Low-Voltage, LV)智能功率级(Smart Power Stage, SPS / DrMOS)生态,将第二级稳压器(VR)移至 CPU 背面垂直布局,以解决横向供电网络(Lateral PDN)在功耗持续攀升下面临的损耗与布线困境。

关键量化收益如下:

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2. 背景与问题:横向供电的瓶颈

2.1 横向 PDN 的低效

• 横向低效(Lateral Inefficiencies):随着 xPU 功耗不断上升,显著的横向 PDN(Power Delivery Network)损耗成为主要矛盾。

• 垂直方案(The Vertical Solution):垂直供电(Vertical Power Delivery, VPD)正快速兴起,以缓解高 PDN 损耗。

• SPS 成熟(SPS Maturation):SPS 生态已随工艺进步显著成熟,为 VPD 提供了器件基础。

• 最优路径(Optimal Approach):低压(LV)、分立、高功率密度的 SPS 是VPD 架构的理想使能器。

2.2 VPD 设计概念(基于 LV SPS)

• 将 SPS 工艺电压由 12V 降至 6.75V,从低压 SPS 获得效率收益。

• 集中式 VR 布局,消除第一级与第二级之间的配电损耗。

• 在第二级中实施垂直供电。

3. 关键器件:HV 单相 vs LV 双相 DrMOS / SPS

VPD 垂直供电架构技术报告 | Google / Intel

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功率损耗对比:8 相 LV(6.75V)双 DrMOS VR 相较 HV(13.5V)4×6 DrMOS,估算可减少 6.44W 损耗。

4. PDN 损耗仿真:VR-to-CPU PCB

在 TDC = 246A 条件下,对 OKS(On-Processor Socket)设计与 Vertical 设计进行对比仿真:

数据中心VPD (垂直供电)-->高效率&功率密度图5

仅 VR-to-CPU PCB 一项即可节省约 4.96W,体现了垂直布局缩短大电流路径的直接价值。

5. PCB 实现:双层 HDI 工艺

• 堆叠结构:L1–L3 激光盲孔(Stacked Laser via),L3–L22 PTH(镀通孔),L22–L24 激光盲孔,兼顾电源分布。

• 对 OKS CRB(参考板)改动最小(Min Change on OKS CRB)。

• CPU 下方放置双 DrMOS(Bottom 视图)。

5.1 低 VIN 双相 DrMOS 的布局收益

• 占位节省 31.7%:采用低 VIN 6×6 双相 DrMOS,核心 VR 方案宽度缩减

31.7%。

• 功率密度提升:功率密度由 32.48 提升至 48.72 W/cm²。

5.2 EVB 对比(Intel Xeon 评估板)

VPD 垂直供电架构技术报告 | Google / Intel

数据中心VPD (垂直供电)-->高效率&功率密度图6


6. 第二阶段与 PCB 改进实测

• LV SPS 损耗 −5.79W:LV SPS 降低损耗 5.79W。

• PCB 损耗 −5.5W:VR-to-CPU PCB 降低损耗 5.5W。

• 总效率提升 +1.97%:合计第二阶段效率在 TDC 246A 下提升约 1.97%。

损耗拆分说明:前述仿真中 VR-to-CPU PCB 改善约 4.96W,与本节实测 5.5W 量级一致(差异源于具体测试条件与寄生参数提取口径)。

7. VPD 实施的综合收益

• 高速 I/O 布线长度显著缩短,改善信号质量与时序裕量。

• 可采用更具性价比的 PCB 材料。

• 电源与地网络路径电阻更低,功耗更低、电源完整性(PI)更好。

• 通过垂直电源布局显著优化 HSIO 布线,简化信号完整性与板级布局设计。

8. 挑战与下一步

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• 标准化 OCP 背面高度与散热规范,使能背面的垂直集成。

• 加速产业界从高压(HV)SPS 向低压(LV)SPS 迁移。

• 推广 HDI PCB 技术,支撑高功率密度背面垂直供电。

• 提出标准生态规范,推动可靠、可扩展的垂直供电发展。

10. 结论

垂直供电(VPD)通过将集中式低压 SPS / 双相 DrMOS 移至 CPU 背面,配合 6.75V低压工艺与 HDI PCB 实现,在占位(−31.7%)、功率密度(+50%)、第二阶段效率(+1.97%)与 PDN 损耗(约 −48%)上均取得可量化的显著改善,同时释放高速 I/O布线资源。其规模化落地仍需在信号完整性、背面散热及 OCP 标准化生态上持续推进。


引用来源:Google / Intel,OCP APAC Summit,2026年 8月 11–12日,台北,“A Backside Vertical Power Architecture to Enable High Efficiency,

High Density LGA Socket CPU”




来源:A君杂谈AIPowerDC


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