英特尔High-NA EUV晶圆处理量破百万，18A制程关键层实测性能达标

【区角快讯】在先进芯片制造的军备竞赛中，英特尔再次亮出肌肉。其晶圆代工部门近日披露，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计数量已正式跨越100万片门槛。这一里程碑式的数据，不仅涵盖了早期的设备认证与测试研发阶段，更包含了部分产品层的量产环节，清晰地标示出这项下一代光刻技术正从实验室的验证台，稳步走向大规模实际生产线。

值得注意的是，据英特尔方面透露，其在High-NA EUV领域的晶圆处理总量，已经超过了全球其他所有采用该技术芯片制造商的总和。这种压倒性的数据优势，进一步夯实了英特尔在这一新兴光刻赛道上的先发身位。作为传统EUV光刻技术的进阶形态，High-NA EUV将物镜数值孔径从0.33大幅提升至0.55。这一物理参数的改变，使得在晶圆上刻画更精细图形成为可能，并有望简化那些原本复杂繁琐的多重曝光工艺。对于追求极致性能的先进制程而言，这直接意味着晶体管密度的跃升、制造复杂度的降低，以及芯片整体性能与能效比的潜在优化。当然，硬币的另一面是，这类尖端设备的购置成本极高，对工艺控制的精度要求也达到了前所未有的严苛程度。

目前，英特尔已在俄勒冈州部署了至少三台High-NA EUV光刻机，并将其投入到了部分Intel 18A制程的生产流程中。公司表示，利用该技术制造的Panther Lake处理器部分层级，在套刻精度、生产吞吐量以及设备可用率等核心指标上，均达到了预期目标。需要厘清的是，英特尔并未激进地将整个18A制程全盘切换至新设备，而是采取了更为审慎的策略：选择关键层进行试产，同时在传统的0.33数值孔径EUV设备上完成相同层次的加工。这种“双轨并行”的做法，旨在对两种技术路径的制造表现进行最直接的横向对比。结果显示，采用High-NA EUV生产的18A层级，在性能表现上已持平甚至优于传统EUV平台对应的层级。

此外，针对客户关心的兼容性问题，英特尔指出，当前用户仍可通过现有的6英寸光掩模使用High-NA EUV技术。这意味着客户既可以在掩模限定的范围内设计芯片，也可以借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）来满足更大面积的制造需求。英特尔认为，未来AI产品对制造技术的要求将持续攀升，这不仅需要更高的性能和密度，更依赖于稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过率先将High-NA EUV推入真实生产环境，英特尔意在向市场证明，其能为客户提供更加成熟、可靠的先进制程选项，从而在激烈的代工竞争中赢得信任。