
随着 AI 智能体(AI Agent)时代的到来,三星电子公布了一项愿景:利用“zHBM”技术将响应速度提升至原来的 10 倍。该技术采用三维(3D)堆叠方式,将存储器直接集成在 AI 加速器之上。
三星电子美国设备解决方案部门(DSA)存储产品规划副总裁 Kim In-dong 在当地时间 9月16 日于加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上发表了演讲,宣布了将 AI 系统响应速度提高 10 倍的目标。

Kim 表示:“目前的对话式 AI 系统,每位用户的响应速度约为每秒 100 个 Token。为了支持未来的智能体 AI,我们的目标是实现‘跨越式发展’,达到每秒 1,000 个 Token 的速度。”
他强调,要实现这一进步,必须突破传统的 2.5D 封装方式(即高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器并排放置),转而采用“zHBM”——一种将 HBM 直接垂直堆叠在加速器之上的架构。
Kim 将这种结构比作“在酒店客房内安装一部直通大堂的专用电梯”,并解释说这能大幅缩短数据传输距离并降低延迟。
因此,与 HBM5 相比,zHBM 预计将带来高达 8 倍的性能提升和超过 3 倍的能效提升。针对运行过程中热量从加速器传导至存储器可能引发的过热问题,公司计划建立一种协同设计框架,即从设计初期就与 AI 加速器客户展开定制化合作。
此外,他们还公布了“zNAND-O”的路线图,这是一款专为端侧 AI(on-device AI)市场设计的、基于 NAND 闪存的 3D 存储解决方案。
Kim表示:“到 2030 年,在本地(例如 AI 工作站)运行拥有约万亿参数的大规模 AI 模型将成为常态,而不再局限于大型服务器。”他补充道:“虽然仅使用 DRAM 为拥有万亿级参数的模型配置内存成本高得惊人,但采用 zNAND-O 技术则能以六分之一的成本实现这一目标。”
他指出,zNAND-O 计划于 2028 年开始提供样品,并补充道:“我们将为客户提供无与伦比的‘上市时间’优势,而这正是 AI 半导体竞争中的关键因素。”

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同时,总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源,为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持,持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

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