8 月 28 日，第十二届张江高科·芯谋研究集成电路产业领袖大会分论坛在上海张江举办。分论坛分设两场——设备材料零部件分论坛与硅光和算力芯片分论坛，来自半导体产业链各环节的企业代表、专家学者齐聚一堂，围绕最新的产业趋势、前沿技术与市场走势展开深入分享。
新傲芯翼常务副总裁王克睿在硅光和算力芯片分论坛上做了题为《面向硅光集成的 SOI 材料技术与产业化》的精彩分享，从产业链上游材料的视角，切入当下最热的硅光议题。
王克睿首先勾勒了硅光崛起的产业背景。AI 大模型的训练算力几乎每 5.2 个月翻一番，远超摩尔定律；前沿模型训练量已跨越 10²⁴ 至 10²⁶ FLOPs 数量级，单颗芯片算力增长受限，算力演进完全依赖数万乃至十万卡级别的超大集群互连。
据相关机构预测，全球数据中心 CapEx 将在 2030 年突破 3 万亿美元，AI 投资不仅拉动 GPU，也同步推高服务器、存储、网络、供电散热与高速光互连基础设施的需求。
而传统光通信方案在这一浪潮下正遭遇瓶颈——分立器件带来更高的耦合损耗、更多的温控功耗、更高的组装成本，光模块体积难以进一步压缩。硅光的价值，就在于将分立光器件转化为可制造的 PIC 平台：波导、调制器、复用/解复用器与探测器可集成于单颗 PIC，依托 PDK、MPW、200mm/300mm 晶圆制造及晶圆级测试形成可复制的 Foundry 量产模式，从可插拔光模块延伸到 CPO、Optical I/O。
而支撑整条硅光产业的底层材料，正是 SOI。SOI 具备三大核心优势：一是晶圆级集成度——光电子集成特性支持高密度芯片集成；二是与成熟 8/12 英寸 CMOS 代工兼容——规模化量产直接摊薄单颗光芯片成本；三是低波导损耗——顶层硅与 BOX 氧化埋层之间形成极高折射率对比，光在硅中通过全反射高效传输。用于硅光的 SOI 制造技术，其顶层硅保留了极完美的单晶硅质量、缺陷极低，并可实现极佳的厚度均匀性。
沪硅产业 25 年的 SOI 发展史，成功解决了中国 SOI 材料的"有无"问题。2001 年新傲科技成立，率先在中国大陆实现 SOI 硅片产业化；2005–2008 年荣获上海市与国家科学技术进步一等奖、中国科学院杰出科技成就奖；2014–2015 年与法国 Soitec 达成深度合作，成为中国大陆唯一战略合作伙伴；2022 年新傲芯翼成立，将 SOI 产品从 200mm 扩展至 300mm，产出国内首片 300mm SOI 并实现量产突破。
依托沪硅集团的整体布局，300mm SOI 已实现原材料自主可控——高低阻单晶硅由新昇提供，Layer Transfer SOI 工艺由新傲芯翼掌握，从长晶、切磨抛到 Bonding、Splitting 形成闭环。产品覆盖 RF、HV/Photonics、MEMS/Cavity、FD、PD 等全系列尺寸组合，能够满足手机、汽车、工业与硅光等各类应用；产品规划上，HV SOI、RF SOI、Si-Ph SOI 已实现量产或小批量交付，FD SOI 也已进入客户验证。今年，新傲芯翼与 Soitec 进一步在 12 寸达成技术授权合作，实现了 SOI 产品在尺寸与技术上的全覆盖。
"算力的尽头是互联，硅光的基石是高质量 SOI。"王克睿在收尾时表示，沪硅产业将继续联合国内外代工厂、设计公司与终端用户，共同推进国产硅光 SOI 产业链的成熟与升级。
