三星电子预计，受人工智能（AI）基础设施投资扩张的推动，存储芯片供应短缺的局面将持续至2028年。该公司解释称，尽管整个半导体行业都在加大投资，但由于建设新设施和采购设备需要时间，短期内难以实现产能的快速提升。此外，明年全年的高带宽内存（HBM）供应也已全部售罄。
在10月29日举行的第三季度财报电话会议上，三星电子表示：“在构建AI基础设施的激烈竞争以及个人AI智能体（AI Agents）普及的推动下，我们预计存储芯片的需求将持续保持前所未有的强劲态势，至少持续到2027年。我们预计供应紧张的局面将延续至2028年。”
三星指出，尽管明年整体资本支出预计将大幅增加，但多种因素可能会阻碍产能的同步增长。这些投资中有很大一部分用于获取新的生产空间，而不断上涨的建设成本和设备价格进一步推高了总投资规模。此外，设备采购周期的延长也制约了供应能力的扩张。
新一代HBM的生产也增加了提升整体存储芯片供应的难度。由于HBM4E（第七代）和HBM5（第八代）的芯片尺寸比前代产品更大，扩大HBM产能不可避免地会挤占用于生产通用DRAM的产能。三星计划积极储备洁净室空间，并根据需求变化保持设备部署的灵活性。
在HBM业务方面，三星电子旨在同时实现销售额增长与向新一代产品的转型。三星电子透露，第三季度HBM4产品的营收较上一季度增长了两倍多，在HBM总营收中的占比已提升至约60%。此外，公司还表示已实现了第三季度的既定目标，即确保其在HBM市场的份额与其在整体DRAM市场的份额相当。针对未来一年的供应谈判也已完成。该公司表示：“我们2027年的HBM（高带宽内存）供应配额已全部售罄，谈判达成的目标价格充分体现了我们产品的竞争力。”此外，公司还提到：“我们持续收到来自核心客户的追加供应需求。”HBM4E计划于明年上半年开始量产，并在下半年实现产量的大幅提升。
长期供应协议的数量也在增加。三星目前已与10家主要客户签署了合同，并正在与另外10家重点客户进行谈判。寻求长期协议的客户群体正在不断扩大，除了大型云服务商和服务器制造商外，还涵盖了移动通信、汽车和网络设备等领域的企业。三星强调：“到2030年，使60%至70%的产能由长期供应协议覆盖这一目标，正变得越来越容易实现。”
由人工智能（AI）驱动的需求也已延伸至NAND闪存领域。该公司解释称，“键值（KV）缓存”——即在“智能体AI”（agentic AI）计算过程中临时存储的数据——增长迅速，这带动了对高性能、大容量服务器固态硬盘（SSD）的需求。此外，基于云端的个人AI智能体的普及，也进一步推高了对大容量QLC（四层单元）SSD的需求。
这种强劲的需求也反映在了价格上。第三季度，三星电子的DRAM平均售价（ASP）较上一季度上涨了约20%，NAND的平均售价也实现了近20%的增长。尽管公司预计明年移动设备和个人电脑（PC）市场的需求可能会有所调整，但预计AI服务器基础设施的投资将会加速。因此，三星计划通过重点布局HBM、高性能DDR5以及服务器用大容量SSD，来优化其产品组合。
在AI需求增长的推动下，代工（半导体合同制造）业务也有望持续增长。三星电子表示，预计今年2纳米工艺技术的订单量将比去年增加一倍以上；此外，到明年，来自高性能计算（HPC）领域的营收占比预计将超过总营收的50%。
该公司还在国内外积极开展投资，以扩大产能。三星指出，目前先进工艺节点的产能扩张速度已无法跟上实际需求增长的步伐，因此正加大对美国和韩国新建晶圆厂的投资力度。在美国德克萨斯州泰勒市（Taylor），三星已启动首座晶圆厂的洁净室运营及设备安装工作，目前也在评估进一步的产能扩张计划，包括建设更多的晶圆厂。
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