三星，再建一座晶圆厂

三星电子已启动一项大规模重组计划，旨在将其位于京畿道龙仁市的器兴园区转型为面向人工智能（AI）时代的高级晶圆代工（半导体代工制造）中心。该计划的目标是将器兴打造成为一个涵盖高带宽内存（HBM）核心组件生产和封装的中心，而这些组件的生产和封装都需要晶圆代工工艺。

据业内人士11月4日透露，三星电子已决定在三星先进技术研究院（SR5）及工程学院（CDI）所在地（该校区已于上月完成拆除）建设一座2纳米和4纳米级先进晶圆代工厂（半导体制造厂）。该综合体将包括Kairos综合大楼、一座绿色建筑和一个变电站，三星E&A将负责工程、采购和施工（EPC）。

三星电子决定在器兴闲置土地上建设先进晶圆代工厂的背景是人工智能数据中心市场快速增长带动了HBM需求的扩张。业内人士预计，随着大型科技公司HBM订单激增，三星电子的HBM供应量（以比特为单位）将在2028年之前的三年内以年均52%的速度增长。目前，最新产品HBM4（第六代）的核心芯片在华城和平泽园区生产，但采用4纳米工艺制造的基础芯片仅在华城和平泽的部分生产线上生产。如果先进晶圆代工厂在器兴建成，预计基础芯片的供应能力将能够与华城和平泽的核心芯片产量同步增长。

三星电子半导体传奇始于1983年落成的器兴园区。其中，采用8英寸（200毫米）晶圆的6号生产线和采用12英寸（300毫米）晶圆的S1生产线是其代表性的晶圆厂。6号生产线整合了原有三座晶圆厂（包括6号、7号和8号生产线）的产能，主要生产图像传感器、显示驱动芯片和功率半导体等传统半导体产品。S1生产线则是专为系统级芯片（LSI）业务打造的生产线，主要生产移动处理器（AP）和汽车系统级芯片（SoC）。

三星电子将负责重组器兴园区的特别工作组命名为“凯罗斯”（Kairos），取自希腊神话中的机会之神，以此体现其对未来发展的期望。凯罗斯项目的核心在于将先进工艺的生产能力引入器兴园区，该园区此前主要采用的是数十纳米至数百纳米的成熟工艺。第一步是基于2纳米和4纳米工艺的凯罗斯晶圆厂，该晶圆厂将建在原科研大楼和工程学院的旧址上。凯罗斯晶圆厂的建设将分四个生产区（阶段）进行，与新建的平泽工厂类似。

Kairos TF 还计划将 6 号生产线的一部分改造成先进封装生产线。先进封装是一种后端工艺技术，它通过垂直堆叠或水平连接多个芯片来组装大型芯片，是制造成品 HBM 的必要工序。

具体而言，建设2纳米生产线是为了迎接下一代产品HBM5（第八代）的到来。虽然三星电子今年开始量产的HBM4（第六代）和计划明年量产的HBM4E（第七代）的基础芯片采用的是4纳米晶圆代工工艺，但极有可能的是，更精细的2纳米工艺将应用于明年量产的HBM5的基础芯片。

Kairos晶圆厂的投资规模预计约为192.3亿美元。据内部消息，该公司已准备了数十台极紫外（EUV）光刻机的采购预算，这些设备是先进工艺的核心设备，采购额在61.5亿美元至76.9亿美元之间。加上洁净室建设成本和除光刻机以外的其他制造工艺设备，预计总成本将超过153.8亿美元。有观察认为，如果将6号生产线改造为先进封装生产线的成本也计算在内，总成本可能达到230.8亿美元。

(来源：编译自businesskorea)

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