三星3D封装，即将发布

据10日消息，三星电子已制定计划，争取在明年初完成“3D Cube-H”的研发。3D Cube-H是一种基于混合键合技术的先进封装技术，它实现了垂直（3D）堆叠结构。

3D Cube 是一种先进的封装技术，它将单个芯片垂直堆叠。与现有芯片水平排列的结构相比， 它允许在相同面积内集成更多晶体管。三星电子已经 开发出采用热压（TC）键合技术的 3D Cube-T。随后，该公司正在开发采用混合键合技术的下一代 3D Cube-H  。

3D Cube-H的关键应用领域是超高性能人工智能（AI）半导体。如果三星电子成功开发相关技术 ，有望为其在晶圆代工业务中赢得大型科技客户奠定基础，并提升其在未来AI半导体领域的竞争力。

一位知情人士透露：“三星电子一直在积极研发用于3D系统（逻辑）半导体的混合键合技术。首款设计套件预计将于明年初完成，之后将开始与潜在客户进行评估。”

三星电子一直在开发间距（端子之间的距离）为 6 微米 (µm) 的 3D Cube-H 技术。考虑到现有基于热电偶键合技术的芯片的间距至少为 25 µm，这已经是一个非常精细的水平了。

预计未来对超高性能人工智能半导体的需求将会增加，3D Cube-H 将成为主流。典型的例子包括堆叠高性能逻辑半导体（例如图形处理器 (GPU)）的结构，或者将逻辑半导体放置在存储器（例如高带宽存储器 (HBM)）之上的结构。

另一位半导体行业官员表示：“采用混合键合技术可以显著提高芯片连接密度，降低每比特能耗。”他还补充道：“与热键合技术相比，混合键合在发热量方面也具有优势。”

先进封装技术被认为是决定人工智能半导体竞争优势的关键因素。三星电子董事长李在镕近日访问了位于日本横滨的先进封装实验室（APL），该实验室是先进封装技术的研究中心。此次访问旨在考察用于提升人工智能半导体竞争力的材料和工艺技术研发现状，并评估与当地企业的合作情况。

三星电子此前用于实现3D Cube芯片的技术是热压键合（TC Bonding）。热压键合是一种利用热能和压力将芯片连接在一起的技术，它通过在芯片之间插入微小凸点来实现这一连接。热压键合技术已广泛应用于各种半导体制造，具有较高的良率和成本效益。三星电子将其称为3D Cube-T。

然而，随着3D逻辑性能的提升，热导键合（TC键合）在性能和发热量方面已达到极限。 混合键合应运而生，成为一种替代方案。混合键合技术直接连接芯片间的铜箔，与热导键合相比，具有更优异的散热性能。此外，它还能通过更密集地排列作为数据传输通道的铜箔端子，进一步提升性能和能效。三星电子采用混合键合技术，并将其命名为3D Cube-H。

点这里👆加关注，锁定更多原创内容

*免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。