【内容目录】
1.刻蚀设备市场概况
2.9家刻蚀设备企业介绍
3.总结
【湾芯展推荐】本文涉及的半导体刻蚀设备企业

刻蚀设备市场概况
刻蚀(Etch)是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中一种重要步骤,指通过化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,并保证在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。
据Mordor Intelligence 数据统计,2024 年全球半导体刻蚀设备市场规模预计为238 亿美元,预计到 2029 年增长至 343.2 亿美元,年复合增长率为 7.60%。
在之前,深芯盟产业研究部已经挑选5家国产刻蚀设备领域上市公司(北方华创、中微公司、盛美上海、芯源微、万业企业),利用我们专有的量化分析模型,进行2025年第一季度市场表现指数评估(5家国产半导体刻蚀设备上市企业 Q1市场表现指数),本文将继续盘点国内知名非上市的刻蚀设备厂商代表,帮助读者更好地了解国内刻蚀设备的发展情况。
9家刻蚀设备企业介绍
新凯来
企业简介:深圳市新凯来技术有限公司致力于半导体装备及零部件、电子制造设备的研发、制造、销售与服务。为半导体行业客户提供创新技术与产品解决方案,持续支撑行业健康发展。将国内最优秀的电子制造解决方案和生产测试装备推介给行业客户,促进产业能力提升
核心技术:武夷山1号腔室采用全对称架构设计,整机可配置 6 个工艺腔,满足先进节点各类精细介质刻蚀场景需求;武夷山 3号采用全对称、高流导架构设计,整机可配置 6 个工艺腔,满足先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景需求;武夷山 5 号采用氧化硅及硅选择性刻蚀组合解决方案,单腔设计,整机可配备 6个工艺腔,满足先进节点高选择性刻蚀场景需求
关键应用:先进节点高选择性刻蚀场景、先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景、先进节点各类精细介质刻蚀场景
市场竞争力:技术参数比肩国际龙头
代表产品:武夷山1 号 MASTER

产品特点:
1)等离子体快速稳定切换,极佳原子层刻蚀表现,高效控制材料损伤;
2)电极间隙设计步间可调,有效应对不同膜层的均匀性调节需求,提升 MTBC 表现;
3)下电极多区动态调温,增强 CDU 调节能力;
4)射频全链路自主可控,多频三级同步脉冲满足三维复杂形貌调控需求
凯迪微
企业简介:广东凯迪微智能装备有限公司(以下简称“凯迪微”)成立于2018年,专注于半导体湿法工艺,掌握SPM、DHF、SC1/SC2、SPINE、H₃PO₄、BOE、O₃、Nano spray,DIW等清洗技术,覆盖刷洗、去胶、刻蚀、晶圆再生等关键制程28~350nm工艺段,适配6/8/12英寸晶圆
凯迪微研发团队秉承“友善,专业,诚信”的企业核心经营理念,自主研发的槽式清洗及刻蚀、单片晶圆清洗及刻蚀设备,面向全球晶圆制造、先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案,有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。
凯迪微愿与行业伙伴携手,推动半导体制造技术升级突破,为半导体行业客户不遗余力,砥砺前行。
核心技术:有机/无机去胶技术, 二流体清洗技术,高压清洗技术,兆声波清洗技术,单片刻蚀技术,晶背刻蚀技术,槽体微循环控制技术,自动片盒交换技术,晶圆高效无损干燥技术
关键应用:SPM ,H₃PO₄,Polymer remove,Oxide etch,Poly etch,Marangoni dry,Megasonic,BGBM
市场竞争力:1.针对 SIC产品, 研发自动片盒交换技术,无需人工换盒,无缝对接OHT,AGV ,实现高效生产;
2.单片晶背刻蚀设备,最薄兼容100um,实现超薄晶圆减薄应用;
3.自研8腔体Scrubber清洗设备,WPH ≥200,覆盖60nm 制程工艺。
代表产品:SC200-B02

工艺说明:通过精细化调整喷洒化学品流量,压力,温度等动态喷淋,结合 单晶圆高速旋 转协同机制 ,实现晶圆高精度刻蚀工艺。配合二流体,兆声波等清洗工艺 ,满足先进制程工艺要求
应用场景:1.预清洗,2.去胶清洗,3.金属去除,4.氧化物刻蚀,5.氮化硅去除,6.晶背减薄等各种先进制程
稷以科技
企业简介:上海稷以科技有限公司成立于2015 年,是一家专注于为集成电路行业提供等离子体设备与真空热技术设备的半导体设备公司。
公司旗下拥有包括
“Proxima”、“JETKepler”、“ JMCyber”、“JETVenus”、“Mars” 、“Metis”、“Virgo”、“Triton”、“Hesita”等多个系列的设备,可用于硅基芯片制造、 LED 芯片制造、化合物芯片制造、芯片封装等行业的刻蚀、炉管式薄膜沉积、表面改性、去胶等多种工艺
核心技术:专注于为集成电路行业提供等离子体设备与真空热技术设备的半导体设备公司, 适配12英寸(含)及以下晶圆量产需求
关键应用:300mmIC领域
市场竞争力:JETKepler是由稷以科技自主开发的单片式等离子设备平台。主要应用于晶圆刻蚀及高温等离子表面氧化、氮化
代表产品:JETKepler 2200A表面改性/JETKepler 2200B 表面改性/JETKepler 2300高选择比自由基刻蚀/JETKepler DSE高纵深比硅刻蚀12寸IC前段工艺设备

邦芯半导体
企业简介:上海邦芯半导体科技有限公司成立于2020年,是一家专注于半导体设备研发和国产化的创新型厂商。公司致力于成为半导体行业的顶尖设备供应商。
自成立以来,邦芯半导体在化合物芯片加工设备和硅基特种工艺加工设备上持续发力,已研发了多款6/8/12寸设备,涵盖了去胶机,刻蚀机和薄膜沉积,并且已经在客户端实现了量产。邦芯半导体的产品具有自主知识产权,通过包括设备、工艺、客户支持在内的多个领域的专业知识,将持续开发化合物芯片及硅芯片行业所需的新设备、新制程及新应用,为客户提供高性价比的刻蚀和薄膜设备,并填补国内空白
关键应用:化合半导体介质刻蚀工艺、0.11-0.35um制程集成电路介质刻蚀工艺等
代表产品:1.HongHu Coral150D/200D

用于6/8寸化合物半导体加工工艺CCP刻蚀设备:
搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台,能够提供串行或并行的工艺处理;
独特的反应腔设计,保证介质膜刻蚀速率和均匀性;
采用先进表面涂层,提高零部件的使用寿命,稳定的Particle性能和降低生产成本,提升Uptime和MTBC
主要应用包括:
化合半导体介质刻蚀工艺
0.11-0.35um制程集成电路介质刻蚀工艺
2.HongHu Ivory150W/200W

用于6/8寸化合物半导体加工工艺ICP刻蚀设备:
搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台,能够提供串行或并行的工艺处理;
该系统采用优化的ICP线圈设计,提供更高的刻蚀速率及更优的均匀性;
采用先进表面涂层,提高零部件的使用寿命,稳定的Particle性能和降低生产成本
主要应用包括:
化合物半导体GaN刻蚀工艺
钨回刻工艺
金属刻蚀工艺
天芯微
企业简介:天芯微(ASEL)成立于2019年8月,致力于半导体前道关键工艺设备的研发、制造和应用,为全球客户提供高端半导体设备和服务。2023年,布局半导体刻蚀工艺装备领域并完成了全球化背景的资深研发团队组建,致力于高端刻蚀设备的国产化
核心技术:设备应用了多种先进设计,如分区进气系统、对称腔体结构、高功率等离子源、快速气体切换系统、和准确离子能量控制等,为工艺提供了更多的可能性和可调性
关键应用:TSV、Deep Trench等深硅刻蚀工艺等
市场竞争力:拥有员工约200人,硕士、博士学历研发占比50%以上,核心人员来自全球知名半导体设备企业,主导过多款前道工艺设备的研发和验证工作,拥有30年以上研发到市场的产品投放经验
代表产品:E-Focus

E-Focus是天芯微自主研发的深硅刻蚀设备,卓越的分区进气系统、分区晶圆冷却系统、和分区射频等离子控制,使得刻蚀均匀性更可调;快速气体切换系统配合高速EtherCAT通信和控制算法,能够带来极致的形貌控制;实现了更高的刻蚀速率和刻蚀深宽比
研微半导体
企业简介:研微(江苏)半导体科技有限公司(简称研微半导体),总部位于无锡,凝聚了全球薄膜沉积设备领域顶尖人才的跨国研发团队,核心成员由10余位海外博士领衔,其中五人入选国家级人才计划,专注于高端ALD、PECVD以及特色外延设备技术,生产具有自主知识产权且具备国际竞争力的产品
核心技术:tALD、PEALD、SI EPI、SiC EPI 、PECVD、 ALE等核心技术
关键应用:Logic、DRAM、NAND、第三代半导体
市场竞争力:Elegito所采⽤的原⼦层精密(ALE)是⼀种⾼端的刻蚀技术,可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。 随着器件微结构尺寸越来越小,要达到器件的更高性能可以通过 ALE 技术所具有的精度来实现
代表产品:Elegito 系列 选择性刻蚀设备

核心优势:1.高均匀性、高选择比和低颗粒度;2.基于仿真的热场、流场设计;3.注重人机交互体验的软件设计;4.多款产品统一平台,降低学习和维护成本
宝丰堂
企业简介:珠海宝丰堂半导体股份有限公司成立于1993年,引用源自欧美30多年等离子系统研发技术,是一家全球领先的专业从事等离子蚀刻/清洁系统的研发与生产制造于一体的高新科技企业
关键应用:硅化钨、氮化硅、多晶硅、氧化物、结晶硅等
代表产品:SEC200 干法刻蚀设备

SEC200是全自动在线单晶圆等离子/RIE蚀刻系统,可处理6英寸或8英寸晶圆,具有顶部或/和底部供电电极板、可编程电极间距和自动非接触式晶圆对齐和放置。独特的射频匹配网络位于上电极和下电极,用于在等离子体和RIE模式之间进行可编程切换
全芯微
企业简介:宁波润华全芯微电子设备有限公司(ALLSEMI),简称ASI,成立于2016年9月。总部位于文化底蕴丰厚、风景秀丽的宁波余姚市,在上海、南京、武汉、广州、深圳、厦门等地设有销售服务机构。公司通过国际ISO体系认证、SEMI S2认证,是国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业
关键应用:IC、功率器件、射频集成、半导体光学、光通讯、科研等
代表产品:单片湿法刻蚀机AEH系列

技术特征:
· 机台可实现多尺寸兼容;
· 工艺腔体经过优化设计,提供优秀的洁净度控制;
· 可兼容铜/钵刻蚀液同腔作业,并实现独立的循环回收使用,最多可兼容4种药液同腔作业;
· 可配合使用Nano spray工艺和IPA N2 dry等干燥工艺
鲁汶仪器
企业简介:鲁汶仪器于2015年9月成立,总部位于江苏省徐州市,在北京上海、比利时设有全资子公司,武汉、上海设有分公司。鲁汶仪器致力于为集成电路制造产线提供先进的装备和工艺解决方案。针对逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等领域的关键工艺道次,鲁汶仪器研发了业界领先的离子束塑形设备(IBS)、离子束沉积设备(IBD)等,为客户推动技术创新、提升产能、优化工艺提供稳定可靠的设备与完善的技术支持。鲁汶仪器也提供电感耦合等离子体刻蚀设备(ICP)、薄膜沉积设备(CVD),以及气相分解金属沾污收集设备(VPD)等晶圆工艺制造设备与检测设备
核心技术:12英寸特种金属膜层刻蚀系统,对于新兴非易失性存储器的核心功能层制备,展现了国际领先的工艺能力,为磁存储器(MRAM)、阻变存储器(ReRAM)和相变存储器(PCRAM)的量产化,奠定了坚实的基础
关键应用:逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等
市场竞争力:在技术支撑方面,鲁汶仪器快速响应,在徐州、北京、上海、武汉四地设有技术支持中心,提供48小时现场响应+工艺联合开发
代表产品:Herent® Chimera® M

Herent® Chimera® M 金属刻蚀设备,为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的专用产品, 同时也可应用于铝垫(Al pad)刻蚀。该设备承袭了 Chimera® A 的先进设计理念,具有出色的均匀性调控手段, 可以为客户提供高性价比的解决方案
结语
随着逻辑芯片不断突破,先进工艺刻蚀次数也不断提升,对刻蚀设备的数量和质量提出了更高的要求。当前国际上高端量产芯片从7nm向5nm、3nm甚至更小的尺寸发展,其核心工艺必须借助刻蚀机的多次刻蚀来实现。国内刻蚀设备的发展正朝着国产替代的方向加速推进,国产设备在性能和市场占有率方面逐步提升,但与国际先进水平仍有差距,未来仍有较大的发展空间。
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