常见的MOS管驱动电路，你知道几种？

MOS管凭借出色的开关特性，在众多电子开关应用场景中大显身手。MOS管开关电路巧妙地利用栅极（g）来掌控源极（s）与漏极（d）之间的通断状态。接下来，本文将详细剖析几种在实际工作中广泛应用的 MOS 管驱动电路。

电源IC直接驱动MOS管是最常见的驱动方式，其优势在于电路设计简洁。然而，在采用这种方式时，工程师们必须留意以下关键要点：

1. 仔细研读电源IC手册，精准把握其最大驱动峰值电流参数。由于不同芯片制造工艺的差异，驱动能力可能存在显著差异。

2. 充分了解MOS管的寄生电容特性，优先选择寄生电容较小的MOS管。寄生电容越大，MOS管导通时所需的能量就越多。倘若电源IC的驱动峰值电流不足，将极大影响MOS管的导通速度。

IC驱动能力、MOS寄生电容大小以及MOS管开关速度等多种因素相互交织，共同影响驱动电阻阻值的选定。倘若驱动能力存在不足，上升沿可能会出现高频振荡现象，但也不可一味减小 Rg。

当所选用的MOS管寄生电容较大，而电源IC内部驱动能力有限时，推挽驱动无疑是理想的解决方案。通常采用图腾柱电路来增强电源IC的驱动能力，这一方式常见于电源IC驱动能力较弱的电路场景。此外，图腾柱电路还具备加快关断速度的额外优势。

推挽驱动电路通过显著提升电流提供能力，能够迅速完成对栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑结构虽增加了导通时间，但却大幅减少了关断时间，使得开关管能够快速开通，有效避免上升沿的高频振荡问题。

MOS管通常表现出慢开快关的特性。因此，在关断瞬间，驱动电路应尽可能提供一个低阻抗的通路，以便MOSFET栅源极间电容电压得以快速泄放，从而确保开关管实现快速关断。

为了实现栅源极间电容电压的快速泄放，常见的做法是在驱动电阻上并联一个电阻和一个快恢复二极管，如上图所示，其中D1一般选用快恢复二极管。这一设计能够显著缩短MOS管的关断时间，同时降低关断过程中的损耗。Rg2在此发挥限流作用，防止因电流过大而损坏电源IC。

另一种较为常见的快速关断方式是利用三极管来泄放栅源极间电容电压。如果 Q1的发射极未接入电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容将被短接，从而在最短时间内完成电荷泄放，最大限度地减小关断时的交叉损耗。此时，栅源极间电容上的电荷泄放路径不经过电源IC，有效提升了电路的可靠性。

在一些特定场景下，如需要满足高端MOS管的驱动要求或实现安全隔离时，变压器驱动成为一种常用的手段。下图中的R1旨在抑制PCB板上寄生电感与C1形成的LC振荡，而C1的作用在于允许交流信号通过，同时隔断直流成分，此外还能防止磁芯出现饱和现象。

声明：

本文内容来源于网络，如涉及作品内容、版权和其它问题，请联系工作人员微（13237418207），我们将在第一时间和您对接删除处理!

投稿/招聘/广告/课程合作/资源置换 请加微信：13237418207

电路板覆铜！别再纠结网格还是实心了，用对才关键！

2025-07-26

一文读懂电子电路中的“地”：信号地、电源地、分地、包地、单点接地到底怎么回事？

2025-07-23

硬件设计中的5种关键保护电路

2025-07-19

扫码添加客服微信，备注“入群”拉您进凡亿教育官方专属技术微信群，与众位电子技术大神一起交流技术问题及心得~

分享 点赞 在看❤️ “三连”支持！