【化合物半导体】10家国产化合物半导体上市公司综合实力对比分析

半导体产业研究 2025-08-18 08:00

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【内容目录】

1.国产化合物半导体产业格局和市场动态
2.10家上市公司量化排名和对比分析
3.化合物半导体上市公司综合实力画像
4.结语

【湾芯展推荐】本文涉及企业

时代电气、三安光电、新洁能、闻泰科技、士兰微、华润微、天岳先进、斯达半导、露笑科技、英诺赛科

国产化合物半导体产业格局和市场动态

当前国产化合物半导体产业形成区域集群化、技术差异化、应用场景化的立体格局。

地域集群:

中国第三代半导体产业已形成五大区域性集群,各具差异化优势:

京津冀鲁集群:以北京顺义功率电子基地为核心,集聚北方华创(设备)、天科合达(SiC衬底)等27家企业,覆盖材料→芯片→封装全链条,布局氧化镓、SiC等关键技术,中关村顺义园规划3000亩产业基地支撑发展。

长三角集群:以苏州为研发核心(国创中心覆盖GaN/SiC全链条)、无锡为制造高地(华润微车规SiC芯片)、上海为设计牵引(复旦微电子),南京、合肥等补充电力电子与封测环节。形成“研发(苏州)-制造(苏南)-应用(上海终端)”的跨区域产业链。

珠三角集群:以深圳-宝安为高地,采用“虚拟IDM”模式整合设计、制造、封测等环节的资源。大湾区包含了方正微(Fab)、重投天科(SiC衬底及外延片)、英诺赛科(GaN IDM)等代表性企业,借助平湖实验室在科研和先进设备方面的优势,主攻车规级SiC模块(比亚迪需求)及GaN射频器件,2025年目标整个半导体产业链产值1200亿元。

中西部集群:武汉光谷为核心,九峰山实验室推动技术中试,长飞先进建设36万片/SiC晶圆产线,华工科技研发衬底检测设备,2024年产值突破600亿元。

闽三角集群:厦门为主力,三安光电(IDM模式)、瀚天天成(SiC外延片)深耕光电集成与功率器件,形成特色产业链。

市场增长

由新能源汽车与AI算力双轮驱动2024年第三代半导体功率器件市场规模达176亿元(同比+14.8%),车规级应用占比超70%AI芯片拉动GaN射频器件需求,市场规模达108亿元,国产GaN功率器件出货量翻倍增长。各权威商业咨询机构的预测中,截止2030年,化合物半导体会在全球范围内保持较高速增长的趋势。

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2020-2029年全球碳化硅功率半导体市场规模及渗透率

资料来源:深企投研报

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2023-2030年全球氮化镓功率元件市场规模及细分

资料来源:TrendForce报告

政策扶持

2024年国家大基金三期首批注资1641亿元,叠加地方政策推动,总投资超万亿元。

10上市公司量化排名和对比分析

量化分析的公司包含:时代电气,三安光电,新洁能,闻泰科技,士兰微,华润微,天岳先进,斯达半导,露笑科技,英诺赛科

注:筛选条件为SiC/GaN化合物半导体为主要业务,且公司财报中具有板块较详细的业务数据披露部分上市公司因从事硅基和化合物半导体的综合业务,但其财报中没有单独披露化合物半导体板块的营收,故没有加入对比,例如芯联集成,扬杰科技等。

半导体上市企业市场表现指数-量化模型简介(上下滑动查看详情):


本指数是面向中国半导体上市公司的精细化评估工具,通过量化技术创新、财务健康、盈利能力、市场地位、产能与潜力这五个公开报告与报表数据中的关键业务维度,力求全面客观地细分各产品线的年度竞争力。

在技术创新维度中,指数使用研发投入强度指标(10%权重),直接反应企业对技术创新的资源倾斜程度;并使用研发人员占比指标(10%权重)聚焦人力资源配置质量。

在财务健康维度中,指数同时考虑短期流动性与长期偿债能力,分别以速动比率(5%权重)和“1-资产负债率”(5%权重)综合评估企业的抗风险能力。注:由于资产负债率是负向指标,故使用此方法转化。

在盈利能力维度中,指数按产品线营收占比分摊预估公司归母净利润的表现(20%权重),并采用产品毛利率(10%权重),解释细分市场定价能力与成本控制效率。

在市场地位维度中,指数采用分产品的营收规模(30%权重)突显市场份额与业务体量,作为行业话语权的关键锚点。

在产能与潜力维度中,指数使用资产负债表无形资产同比增长率(10%权重)衡量长期发展动能,反应产研转化效率。

最后,我们使用了Z-Score平移标准化后的各维度数据计算得出最终的指数,并直接呈现指数的绝对值。另外提醒您注意,由于各版块公司数量不同,数据标准化的基数也不同,因此三级行业的数据不具有跨板块可比性。

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化合物半导体上市公司综合实力画像

时代电气

企业简介

中车旗下半导体公司,轨交SiC器件垄断者。延伸新能源车市场,双赛道协同。

核心技术

轨交技术迁移至车用SiC器件,击穿场强>3MV/cm,适配1500V高压系统及10kA/cm²浪涌电流场景。

主要产品及应用

SiC功率模块(轨道交通/新能源汽车)

市场竞争力

主要客户:中国中车(轨道交通垄断份额80%)、广汽埃安

技术认可度:通过机车级IEC61287认证(全球最高标准),技术可靠性背书

优势:轨道交通市占率超80%,获国家专项补贴9亿,多元化应用研发

三安光电

企业简介

全球化合物半导体龙头,覆盖LED芯片、射频前端、碳化硅/氮化镓全产业链,国内唯一实现6-8英寸SiC垂直整合制造。

核心技术

SiC衬底/外延/器件、GaAs射频芯片、GaN光电器件,拥有专利4000余项。

要产品及应用

LED外延片、SiC MOSFET650V-2000V)、GaN射频器件,应用于新能源车、5G基站、光伏储能。

市场竞争力

主要客户:意法半导体(合资)、理想汽车(合资)、华为、TCL华星。

技术认可度:SiC MOSFET车规级认证中,8英寸产线2025年投产;国家科技进步奖两项。

优势:湖南基地月产1.6万片SiC衬底,合资项目锁定国际大厂订单。

新洁能

企业简介

Fabless设计公司,聚焦功率芯片,SiC/GaN双路线并行。

核心技术

650V GaN HEMT采用p-GaN栅结构,开关速度150V/ns,支持2MHz高频切换场景,适配快充及光伏逆变。

主要产品及应用

SiC二极管/GaN快充芯片(光伏/200W快充)

市场竞争力

主要客户:宁德时代(光伏二极管)、安克创新(快充芯片)

技术认可度:GaN芯片通过USBPD3.1认证,高功率快充标准兼容

优势:SiC光伏二极管市占率36%(国内第一),芯片设计适配高切换频率场景

闻泰科技

企业简介

全球半导体与通信技术整合领导者,业务涵盖功率器件、光学模组、AI终端,2024年半导体营收147亿元。

核心技术

车规级SiC MOSFET1200V)、D/E-mode GaN器件(40V-700V),AI服务器能效优化技术。

主要产品及应用

SiC功率模块、GaN快充芯片、AI服务器电源管理IC,应用于汽车电子、数据中心、消费快充。

市场竞争力

主要客户:头部车企、通信设备商、消费电子品牌。

技术认可度:车规SiC模块批量交付光伏/储能客户,GaN器件覆盖工业/消费全场景。

优势:临港12英寸车规晶圆厂量产,全球化产能布局(德国汉堡)。

士兰微

企业简介

老牌IDM企业,厦门基地50万片/SiC产能。中科院合作背景,车规模块验证进度领先。

核心技术

IDM垂直整合实现车规SiC模块全流程控制,栅氧界面陷阱密度<10¹¹cm⁻²·eV⁻¹,阈值电压漂移<0.5V

主要产品及应用

车规级SiC模块(OBC/电控系统)

市场竞争力

主要客户:上汽集团、零跑汽车

技术认可度:模块通过AEC-Q101认证(2023H2),车规应用验证完成

优势:交期压缩至4周(国际巨头需8周),大基金二期注资6.5亿驱动研发

华润微

企业简介

央企华润集团旗下IDM龙头,覆盖芯片设计、制造、封测全链,国内首条6英寸SiC产线量产者。

核心技术

IDM模式实现SiC二极管/MOSFET量产,6英寸线良率98%达国际一梯队,沟槽栅结构降低导通电阻40%

主要产品及应用

SiCMOSFET/二极管(光伏逆变器/工业电源)

市场竞争力

主要客户:阳光电源(光伏逆变器)、华为数字能源(电源模块)

技术认可度:通过JEDEC标准及光伏UL认证,确保器件兼容性和安全性

优势:6英寸产线良率98%(行业TOP3),国家大基金持股9.7%,提供现金流优势

天岳先进

企业简介

全球SiC衬底前三,特斯拉上海工厂主供。2024年营收增72%,临港基地产能30万片/年。

核心技术

8英寸SiC衬底量产领先国内2年,激光隐形切割技术控制晶圆翘曲度<15μm,缺陷密度达国际水平。

主要产品及应用

8英寸SiC衬底(新能源汽车、清洁能源及电网、数据中心、消费电子)

市场竞争力

主要客户:特斯拉(财报披露上海工厂主供,供货占比约18%)、博世公司

技术认可度:满足特斯拉QMS4.0质量体系,供应链核心认可

优势:SiC衬底2024全球市占率16.7%全球第三,国家大基金8亿注资加速创新

斯达半导

企业简介

国内车规SiC模块龙头,2024年营收增300%。专注功率半导体设计,银浆烧结技术国际领先。

核心技术

车规级SiC模块通过ASIL-D认证;银烧结封装工艺降低热阻30%,支持175℃结温下600A峰值电流。

主要产品及应用

SiC功率模块(新能源汽车主驱)

市场竞争力

主要客户:理想汽车(份额60%)、吉利

技术认可度:满足ISO26262ASIL-D功能安全等级,行业最高标准认可

优势:模块成本比英飞凌低15%(铜线键合技术实现),获上海临港基金5亿支持,优化供应链效率

露笑科技

企业简介

原电磁线生产商,转型SiC衬底制造。合肥百亿产业园落地,绑定中科院与合肥政府资源。

核心技术

6英寸SiC衬底良率65%比肩国际龙头,位错密度<5×10³cm⁻²8英寸线研发加速推进。

主要产品及应用

6英寸SiC衬底(比亚迪DM-i车型)

市场竞争力

主要客户:比亚迪(DM-i车型独供衬底,供货占比约15%

技术认可度:全系产品通过AQG-324车规测试,认证量产能力

优势:衬底良率持平国际大厂,获合肥产投20亿扩产资金,加速8英寸线建设

英诺赛科

企业简介

全球最大GaN功率IDM2015年建立,20178英寸硅基氮化镓量产,2024年港交所上市。

核心技术

IDM模式实现650V GaN器件99%效率,垂直结构设计优化缓冲层陷阱密度,温度系数+0.8%/℃

主要产品及应用

GaN功率芯片(快充/数据中心电源)

市场竞争力

主要客户:小米/OPPO(快充市占40%)、字节跳动(数据中心)

技术认可度:全球唯一通过Intel数据中心认证IDM,技术领导力背书

优势:IDM模式保障产能,珠海政府提供15亿扩产补贴;全球唯一量产全电压谱系(15V~1200V)硅基氮化镓芯片的公司,氮化镓功率半导体市占率超40%,全球第一。

结语

化合物半导体是目前产业发展的热点,目前面临的主要挑战是量产成本、关键设备自主化材料质量的可控性、整体良率、器件可靠性,还需业界的共同努力。

*参考资料

各上市公司年报及公开资料深企投研报

*个人简介

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