喜报︱镓仁半导体荣获第十届“创客中国”杭州赛区总决赛企业组二等奖

2025年8月6日，第十届“创客中国”暨“浙江好项目”中小企业创新创业大赛杭州赛区总决赛在浙江省杭州市萧山区隆重举行。杭州镓仁半导体有限公司（以下简称镓仁半导体）凭借卓越的技术创新实力与产业化成果，从众多优秀企业中脱颖而出，于此次大会上荣获第十届“创客中国”杭州赛区总决赛企业组二等奖。

此次获奖是镓仁半导体发展历程中的又一重要里程碑，不仅是对公司技术研发能力的肯定，更是对公司在半导体材料领域持续深耕的认可。未来，公司将继续秉持“创新驱动、产业报国”的理念，推动关键技术持续突破，助力中国半导体产业的高质量发展！

镓仁半导体始终聚焦氧化镓材料的技术研发，坚持自主创新与开放合作并重，逐步攻克了多项关键技术，取得了丰硕的成果。

2025年3月，镓仁半导体全球首发 8 英寸氧化镓衬底，打破国际上氧化镓衬底尺寸记录，成为国际上首家掌握该尺寸单晶生长技术的企业。从 2022 年首颗 2 英寸单晶诞生，到2023年4英寸单晶问世以及 2024 年 6 英寸衬底成功制备，再到 8 英寸技术突破，镓仁半导体创造了从2英寸到8英寸每年迭代一个尺寸的行业记录，展现了氧化镓技术领域的 “中国速度”。

2025年5月，镓仁半导体再次在氧化镓大尺寸晶体生长与衬底加工技术方面取得突破性进展，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，使用垂直布里奇曼（VB）法制备出100毫米(010)面氧化镓单晶衬底，该成果属国际上首次报道。

此外，镓仁半导体广泛开展国际国内项目合作，积极推进氧化镓半导体材料的标准化与产业化发展。

2025年5月，镓仁半导体与德国莱布尼茨晶体生长研究所的孵化企业NextGO Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化发展，为全球半导体产业注入新动能。

2025年6月，公司作为牵头起草单位参与《氧化镓单晶位错密度测试方法》《β相氧化镓同质外延片》两项团体标准草案评审会，并作为参与单位参与《氧化镓衬底位错密度无损检测方法 X射线形貌法》团体标准的立项工作，均顺利通过评审。

8月6日，第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛暨“浙江好项目”杭州赛区总决赛暨颁奖典礼在萧山会议中心隆重举行。本届大赛以“围绕产业链、部署创新链、配置资金链、培育人才链”为主题，汇聚了来自杭州各地的优秀创业项目和创业者。聚焦智能物联、生物医药、高端装备、新材料、绿色能源五大产业生态圈，并首次开设通用人工智能、低空经济、人形机器人、类脑智能、合成生物五大未来产业赛道，重点突出关键核心技术、关键工艺、关键设备、关键产品的创新项目。历经两个多月的激烈角逐，25个硬科技项目从323个参赛团队中脱颖而出，覆盖半导体、人工智能、高端制造等前沿领域，呈现技术壁垒高、产业融合深、应用场景新三大特征。

数据显示，大赛累计培养了753家创新型中小企业、431家省级专精特新中小企业和80家国家级专精特新“小巨人”企业，为杭州高质量发展注入了澎湃动力。

2025年，镓仁半导体在各大展会及赛事上均有出席，并荣获了多个奖项。

2025年3月，在全球规模最大的半导体行业盛会SEMICON CHINA 上，镓仁半导体全球首发 8 英寸氧化镓晶圆衬底，并荣获“SEMI 可持续发展杰出贡献奖”。

2025年4月，在2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)上，镓仁半导体荣获“聚力同行奖”。

2025年5月，在浙江省半导体行业协会四届四次会员大会上，杭州镓仁半导体凭借在氧化镓技术领域的突破性成就，于此次大会上荣获浙江省半导体行业“创新活力奖”。

SEMI 可持续发展杰出贡献奖颁奖现场

聚力同行奖颁奖现场

“创新活力奖”获奖现场

镓仁半导体不仅提供氧化镓单晶衬底产品，还全面开放氧化镓专用VB法晶体生长设备及配套工艺包的销售。

2024年9月，镓仁半导体推出了首台自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长对高温和高氧环境的需求，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。

该设备通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，满足高校、科研院所、企业客户对氧化镓晶体生长的科研、生产等各项需求。该型氧化镓VB法长晶设备及其工艺包已全面开放销售。